MOS管
低压mos管PJQ5528-AU
更新时间 2024-11-06 16:26
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一、产品概述
PJQ5528-AU是强茂公司推出的一款30V N沟道低压MOSFET，用了DFN5060-8L封装技术。
该产品具有极低的导通电阻（R_DS(ON)）、出色的开关性能和稳定的工作特性，非常适合于需要高效能、高可靠性的应用场景。
PJQ5528-AU还通过了AEC-Q101认证，确保了其在汽车电子等领域的广泛应用。
二、主要参数
以下是PJQ5528-AU低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | - | 30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | ±20 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25℃） | I_D | T_C=25℃ | 61 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100℃） | I_D | T_C=100℃ | 43 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | I_DM | T_C=25℃, 脉冲宽度<100μs, 占空比<2% | 244 | - | - | A |
| 功耗（25℃） | P_D | T_C=25℃ | 31.3 | - | - | W |
| 功耗（100℃） | P_D | T_C=100℃ | 15.6 | - | - | W |
| 导通电阻（V_GS=10V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | - | 4.8 | 6 | mΩ |
| 导通电阻（V_GS=4.5V, I_D=10A） | R_DS(on) | - | 7.3 | - | 9.5 | mΩ |
| 栅阈电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250μA | 1.3 | 1.8 | 2.5 | V |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | V_DS=30V, V_GS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | I_GSS | V_GS=±20V, V_DS=0V | - | - | ±10 | μA |
| 总栅电荷 | Q_g | V_DS=24V, I_D=20A, V_GS=10V | - | 11 | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz | - | 710 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | - | 346 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | - | 30 | - | pF |
| 栅电阻 | R_g | f=1MHz | - | 1.7 | - | Ω |
| 开启延迟时间 | t_d(on) | V_DS=24V, I_D=20A, V_GS=10V, R_G=3Ω | - | 9 | - | ns |
| 开启上升时间 | t_r | - | - | 2 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | - | 20 | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | - | 7 | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
