MOS管

强茂低压mos管-PJQ5522-AU

更新时间 2024-11-06 16:31 阅读

一、产品概述

PJQ5522-AU是强茂电子推出的一款30V N沟道低压MOSFET，其采用DFN5060-8L封装形式，具有低内阻、高电流承载能力、优秀的品质因数（FOM）以及逻辑电平驱动等特点。

该产品通过AEC-Q101认证，符合欧盟RoHS 2.0标准，采用无铅绿色成型化合物，符合IEC 61249标准，广泛应用于汽车电子、工业自动化、电源管理等领域。

二、主要参数

以下是PJQ5522-AU低压MOS管的主要参数：

参数名称	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源电压	V_DS	-	30	-	-	V
栅源电压	V_GS	-	-20~20	-	-	V
连续漏极电流（25℃）	I_D	T_C=25℃	141	-	-	A
连续漏极电流（100℃）	I_D	T_C=100℃	99	-	-	A
脉冲漏极电流（25℃）	I_DM	T_C=25℃，脉冲宽度<100us，占空比<2%	564	-	-	A
功耗（25℃）	P_D	T_C=25℃	75	-	-	W
功耗（100℃）	P_D	T_C=100℃	37.5	-	-	W
连续漏极电流（TA=25℃）	I_D	T_A=25℃	29.6	-	-	A
连续漏极电流（TA=70℃）	I_D	T_A=70℃	24.8	-	-	A
功耗（TA=25℃）	P_D	T_A=25℃	3.3	-	-	W
功耗（TA=70℃）	P_D	T_A=70℃	2.3	-	-	W
单脉冲雪崩能量	E_AS	L=0.5mH，I_AS=25A，V_DD=30V，V_GS=10V，起始T_J=25℃	150	-	-	mJ
结温和存储温度范围	T_J，T_STG	-	-55~175	-	-	℃
热阻（结到壳）	R_θJC	-	2	-	-	℃/W
热阻（结到环境）	R_θJA	安装在1英寸²、2盎司方形铜垫上	45	-	-	℃/W
静态漏源击穿电压	BV_DSS	V_GS=0V，I_D=250uA	30	-	-	V
栅极阈值电压	V_GS(th)	V_DS=V_GS，I_D=250uA	1.3	1.8	2.5	V
漏源导通电阻（V_GS=10V，I_D=20A）	R_DS(on)	-	-	1.63	2	mΩ
漏源导通电阻（V_GS=4.5V，I_D=20A）	R_DS(on)	-	-	2.4	3.1	mΩ
零栅压漏极电流	I_DSS	V_DS=30V，V_GS=0V	-	-	1	uA
栅源泄漏电流	I_GSS	V_GS=±20V，V_DS=0V	-	-	±100	nA
总栅极电荷	Q_g	V_DS=24V，I_D=20A，V_GS=10V	-	43	-	nC
栅源电荷	Q_gs	-	8.4	-	-	nC
栅漏电荷	Q_gd	-	5.5	-	-	nC
输入电容	C_iss	V_DS=25V，V_GS=0V，f=1MHz	-	2930	-	pF
输出电容	C_oss	-	1275	-	-	pF
反向传输电容	C_rss	-	72	-	-	pF
栅极电阻	R_g	f=1MHz	-	0.3	-	Ω
开通延迟时间	t_d(on)	V_DS=24V，I_D=20A，V_GS=10V，R_G=3Ω	-	16	-	ns
开通上升时间	t_r	-	11	-	-	ns
关断延迟时间	t_d(off)	-	35	-	-	ns
关断下降时间	t_f	-	40	-	-	ns
二极管正向电流（25℃）	I_S	T_C=25℃	-	-	137	A
脉冲二极管正向电流	I_SM	-	-	-	548	A
二极管正向电压	V_SD	I_S=20A，V_GS=0V	-	0.79	1.1	V
反向恢复时间	T_rr	V_GS=0V，I_S=20A，dI_S/dt=100A/us	-	50	-	ns
反向恢复电荷	Q_rr	-	45	-	-	nC

请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。

如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。