MOS管
强茂PJD55N04V-AU-低压mos管
更新时间 2024-11-05 16:20
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一、产品概述
PJD55N04V-AU是强茂的一款40V N沟道低压MOSFET。
该产品采用TO-252AA封装，具有低内阻、高电流承载能力、优异的热稳定性和良好的电气特性。
其设计符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子、工业控制、电源管理等众多领域。
PJD55N04V-AU还采用了符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅绿色成型化合物，符合环保要求。
二、主要参数
以下是PJD55N04V-AU低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | 40 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | -20 | - | 20 | V |
| 连续漏极电流（25℃） | I_D | 128 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100℃） | I_D | - | - | 91 | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | I_DM | 512 | - | - | A |
| 功率耗散（25℃） | P_D | 107 | - | - | W |
| 功率耗散（100℃） | P_D | - | - | 53 | W |
| 栅阈值电压 | V_GS(th) | 2 | 2.8 | 3.5 | V |
| 漏源导通电阻（V_GS=10V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | 2.9 | 3.6 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V_GS=7V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | 3.5 | 4.6 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷（V_DS=32V, I_D=20A, V_GS=10V） | Q_g | - | 34 | - | nC |
| 输入电容（V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz） | C_iss | - | 2540 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 557 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 45 | - | pF |
| 开启延迟时间 | t_d(on) | - | 20 | - | ns |
| 开启上升时间 | t_r | - | 5 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 35 | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 8 | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
