MOS管
强茂低压mos管PJD50N04V-AU
更新时间 2024-11-05 16:06
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一、产品概述
PJD50N04V-AU是强茂的一款40V N沟道低压mos管，它采用了TO-252AA封装形式，具有低内阻、高电流承载能力、优异的热稳定性和良好的电气特性。
该MOS管符合AEC-Q101标准，并通过了欧盟RoHS 2.0认证，绿色环保，符合现代电子产品的生产要求。
其标准电平驱动和出色的品质因数（FOM），使得PJD50N04V-AU在汽车电子、电源管理、工业控制等领域有着广泛的应用。
二、主要参数
以下是PJD50N04V-AU低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | - | 40 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | ±20 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25℃） | I_D | T_C=25℃ | 80 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100℃） | I_D | T_C=100℃ | 57 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | I_DM | T_C=25℃ | 320 | - | - | A |
| 功耗（25℃） | P_D | T_C=25℃ | 68 | - | - | W |
| 功耗（100℃） | P_D | T_C=100℃ | 34 | - | - | W |
| 漏源导通电阻（V_GS=10V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | - | 4.7 | 5.9 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V_GS=7V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | - | 5.6 | 7.3 | mΩ |
| 栅阈电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=50uA | 2 | 2.8 | 3.5 | V |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | V_DS=40V, V_GS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=±20V, V_DS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷 | Q_g | V_DS=32V, I_D=20A, V_GS=10V | - | 23 | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz | - | 1287 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | - | 284 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | - | 51 | - | pF |
| 栅极电阻 | R_g | f=1MHz | - | 0.8 | - | Ω |
| 开启延迟时间 | t_d(on) | V_DS=32V, I_D=20A, V_GS=10V, R_G=3Ω | - | 14 | - | ns |
| 开启上升时间 | t_r | - | - | 3 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | - | 24 | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | - | 5 | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
