MOS管
PJE8402-AU-强茂低压mos管
更新时间 2024-11-04 09:44
阅读
一、产品概述
PJE8402-AU是一款由强茂生产的20V N沟道增强型MOSFET，专为开关负载、PWM应用等设计。
它采用了特殊的Trench工艺技术，确保了器件的高性能和稳定性。
该MOS管还具备2KV HBM的ESD保护功能，有效防止静电放电对器件的损害。
PJE8402-AU还符合AEC-Q101标准，并通过了欧盟RoHS 2.0认证，确保了产品的环保性和可靠性。
二、主要参数
以下是PJE8402-AU低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | 20 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | +8 | - | - | V |
| 连续漏极电流 | I_D | 0.7 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流 | I_DM | 2.8 | - | - | A |
| 功耗（25℃） | P_D | - | - | 300 | mW |
| 结温范围 | T_J, T_STG | -55 | - | 150 | ℃ |
| 热阻（结到环境） | R_θJA | 417 | - | - | ℃/W |
| 栅阈电压 | V_GS(th) | 0.5 | 0.78 | 1 | V |
| 漏源导通电阻（V_GS=4.5V, I_D=0.7A） | R_DS(on) | - | 129 | 150 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V_GS=2.5V, I_D=0.5A） | R_DS(on) | - | 167 | 220 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V_GS=1.8V, I_D=0.2A） | R_DS(on) | - | 260 | 400 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | - | - | +10 | μA |
| 总栅电荷 | Q_g | - | 1.6 | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | - | 92 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 25 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 9 | - | pF |
| 开启延迟时间 | t_d(on) | - | 6 | - | ns |
| 开启上升时间 | t_r | - | 26 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 41 | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 31 | - | ns |
| 漏源二极管最大连续正向电流 | I_S | - | - | 0.4 | A |
| 二极管正向电压（I_S=1A, V_GS=0V） | V_SD | - | 0.89 | 1.2 | V |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
