MOS管
强茂低压mos管-PJC7400B
更新时间 2024-11-04 09:40
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一、产品概述
PJC7400B是强茂电子生产的一款30V N沟道低压mos管，专为开关负载、PWM应用等设计。
该产品采用了特殊的封装技术，确保了良好的散热性能和电气连接稳定性。
PJC7400B不仅具有低内阻、高开关速度等显著特点，还具备2KV HBM的ESD保护功能，有效提高了产品的可靠性和使用寿命。
二、主要参数
以下是PJC7400B低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | 30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | +8 | - | - | V |
| 连续漏极电流 | I_D | 1.0 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流 | I_DM | 4.0 | - | - | A |
| 功耗（25℃） | P_D | - | - | 350 | mW |
| 结温范围 | T_J, T_STG | -55 | - | 150 | ℃ |
| 热阻（结到环境） | R_θJA | 357 | - | - | ℃/W |
| 静态漏源击穿电压 | BV_DSS | 30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | 0.5 | 0.78 | 1.3 | V |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | - | 145（V_GS=4.5V, I_D=1.0A） | 200 | mΩ |
| - | 185（V_GS=2.5V, I_D=0.5A） | 270 | mΩ | ||
| - | 330（V_GS=1.8V, I_D=0.2A） | 570 | mΩ | ||
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | - | - | +10 | nA |
| 总栅极电荷 | Q_g | - | 1.5 | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | - | 93 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 19 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 6 | - | pF |
| 开通延迟时间 | t_d(on) | - | 6.4 | - | ns |
| 开通上升时间 | t_r | - | 33 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 37 | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 32 | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
