MOS管
强茂PJD95P04E-AU-P通道增强型MOSFET
更新时间 2024-11-04 09:34
阅读
一、产品概述
PJD95P04E-AU是强茂推出的一款40V P通道增强型MOSFET。它采用了TO-252AA封装，具备高可靠性和耐用性，完全符合AEC-Q101标准，并且通过了100% UIS测试。此外，该产品还符合欧盟RoHS 2.0标准，使用了绿色模塑化合物，符合IEC 61249标准。
PJD95P04E-AU的特点包括低导通电阻（在V GS =-10V，I D =-20A条件下，R DS(ON)低至6mΩ以下）、高连续漏极电流（在T C =25°C时可达-108A）以及优异的散热性能（热阻R θJC仅为1.2°C/W）。这些特点使得PJD95P04E-AU成为高效、稳定的电子元件选择。
二、主要参数
以下是PJD95P04E-AU低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | - | -40 | - | - | V |
| 栅源电压 | V GS | - | ±25 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I D | T C =25°C | -108 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100°C） | I D | T C =100°C | -76 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流（25°C） | I DM | T C =25°C，脉冲宽度<300μs，占空比<2% | -352 | - | - | A |
| 功率损耗（25°C） | P D | T C =25°C | - | - | 125 | W |
| 功率损耗（100°C） | P D | T C =100°C | - | - | 63 | W |
| 栅阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS ，I D =-250μA | -1 | -2 | -2.5 | V |
| 导通电阻（V GS =-10V，I D =-20A） | R DS(on) | - | - | 4.8 | 6 | mΩ |
| 导通电阻（V GS =-4.5V，I D =-10A） | R DS(on) | - | - | 7 | 9.1 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | V DS =-40V，V GS =0V | - | - | -1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | V GS =±25V，V DS =0V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷 | Q g | V DS =-32V，I D =-20A，V GS =-10V | - | 100 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q gs | - | 17 | - | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q gd | - | 23 | - | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | V DS =-25V，V GS =0V，f=1MHz | - | 5790 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 463 | - | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 291 | - | - | pF |
| 栅电阻 | R g | f=1MHz | - | 11 | - | Ω |
| 开通延迟时间 | td(on) | V DS =-32V，I D =-20A，V GS =-10V，R G =3Ω | - | 10 | - | ns |
| 开通上升时间 | t r | - | 9 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 211 | - | ns |
| 关断下降时间 | t f | - | 150 | - | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
