MOS管
40V P沟道低压mos管PJD75P04E-AU
更新时间 2024-11-01 09:25
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一、产品概述
PJD75P04E-AU是一款强茂的40V P型沟道低压mos管。
它采用了TO-252AA封装，具备高电流处理能力（-67A）、低导通电阻（在V GS =-10V，I D =-20A条件下，R DS(ON)小于9.4mΩ）以及优异的散热性能。
同时，该MOS管还通过了AEC-Q101认证，确保了其在汽车电子等应用中的高可靠性。符合欧盟RoHS 2.0标准。
二、主要参数
以下是P型沟道低压mos管PJD75P04E-AU的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | -40 | - | - | V |
| 栅源电压 | V GS | ±25 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I D @25°C | -67 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100°C） | I D @100°C | - | - | -47 | A |
| 脉冲漏极电流（25°C） | I DM @25°C | -228 | - | - | A |
| 功率耗散（25°C） | P D @25°C | - | - | 75 | W |
| 功率耗散（100°C） | P D @100°C | - | - | 38 | W |
| 栅阈值电压 | V GS(th) | - | -1.9 | -2.5 | V |
| 导通电阻（V GS =-10V，I D =-20A） | R DS(on) | - | 7.5 | 9.4 | mΩ |
| 导通电阻（V GS =-4.5V，I D =-10A） | R DS(on) | - | 11 | 14.3 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | - | - | -1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | - | - | ±100 | nA |
| 总栅电荷 | Q g | - | 59 | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | - | 3477 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 377 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 233 | - | pF |
| 栅电阻 | R g | - | 4 | - | Ω |
| 开启延迟时间 | td(on) | - | 13 | - | ns |
| 开启上升时间 | t r | - | 16 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 54 | ns |
| 关断下降时间 | t f | - | - | 33 | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
