MOS管
强茂PJD70P03E-AU-低压mos管
更新时间 2024-11-01 09:09
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一、产品概述
PJD70P03E-AU是强茂的一款30V P通道低压mos管，它采用TO-252AA封装，具备高可靠性和坚固耐用的特点。
该MOS管通过了AEC-Q101认证，符合欧盟RoHS 2.0标准，且采用符合IEC 61249标准的绿色成型化合物。
其设计旨在提供卓越的电气性能和热稳定性，适用于各种需要高效、稳定电源管理的电子设备中。
二、主要参数
以下是PJD70P03E-AU低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | - | -30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | ±25 | - | - | - | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I_D | T_C=25°C | -77 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100°C） | I_D | T_C=100°C | -54 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流（25°C） | I_DM | T_C=25°C，脉冲宽度<300us，占空比<2% | -225 | - | - | A |
| 功耗（25°C） | P_D | T_C=25°C | - | - | 79 | W |
| 功耗（100°C） | P_D | T_C=100°C | - | - | 40 | W |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS，I_D=-250uA | -1 | - | -2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS=-10V，I_D=-20A | - | 6.7 | 8.4 | mΩ |
| V_GS=-4.5V，I_D=-10A | - | 10.4 | 13.5 | mΩ | ||
| 零栅极电压漏极电流 | I_DSS | V_DS=-30V，V_GS=0V | - | - | -1 | uA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=±25V，V_DS=0V | - | - | ±10 | uA |
| V_GS=±10V，V_DS=0V | - | - | ±1 | uA | ||
| 总栅极电荷 | Q_g | V_DS=-24V，I_D=-20A，V_GS=-10V | - | 54 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q_gs | - | 6 | - | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q_gd | - | 17 | - | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=-25V，V_GS=0V，f=1MHz | - | 2309 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 327 | - | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 262 | - | - | pF |
| 栅极电阻 | R_g | f=1MHz | - | 2.3 | - | Ω |
| 开通延迟时间 | t_d(on) | V_DS=-24V，I_D=-20A，V_GS=-10V，R_G=3Ω | - | 11 | - | ns |
| 开通上升时间 | t_r | - | 9 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | - | - | 37 | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 21 | - | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
