MOS管
强茂低压mos管PJD40P03E-AU
更新时间 2024-10-31 15:17
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一、产品概述
PJD40P03E-AU是一款30V P通道增强型MOSFET，采用TO-252AA封装。在汽车电子、电源管理、工业控制等领域有着广泛的应用。
它具备低内阻、高可靠性、坚固耐用等特点，并且通过了AEC-Q101认证，符合欧盟RoHS 2.0标准，采用符合IEC 61249标准的绿色成型化合物。
二、主要参数
以下是PJD40P03E-AU的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | -30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | ±25 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I_D | -33 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100°C） | I_D | - | - | -24 | A |
| 脉冲漏极电流（25°C） | I_DM | -94 | - | - | A |
| 功耗（25°C） | P_D | 33 | - | - | W |
| 功耗（100°C） | P_D | - | - | 17 | W |
| 结温及存储温度范围 | T_J, T_STG | -55~175 | - | - | °C |
| 热阻（结到壳） | R_θJC | 4.5 | - | - | °C/W |
| 热阻（结到环境） | R_θJA | 50 | - | - | °C/W |
| 静态漏源击穿电压 | BV_DSS | -30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | -1 | - | -2.5 | V |
| 漏源导通电阻（V_GS=-10V, I_D=-20A） | R_DS(on) | - | 15 | 18.8 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V_GS=-4.5V, I_D=-10A） | R_DS(on) | - | 23.6 | 30.7 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | - | - | -1 | μA |
| 栅源泄漏电流（V_GS=±25V, V_DS=0V） | I_GSS | - | - | ±10 | μA |
| 栅源泄漏电流（V_GS=±10V, V_DS=0V） | I_GSS | - | - | ±1 | μA |
| 总栅极电荷（V_DS=-24V, I_D=-20A, V_GS=-10V） | Q_g | - | 22 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q_gs | - | 3 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q_gd | - | 7 | - | nC |
| 输入电容（V_DS=-25V, V_GS=0V, f=1MHz） | C_iss | - | 1009 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 1453 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 119 | - | pF |
| 栅极电阻（f=1MHz） | R_g | - | 10.4 | - | Ω |
| 开通延迟时间（V_DS=-24V, I_D=-20A, V_GS=-10V, R_G=3Ω） | t_d(on) | - | 7 | - | ns |
| 开通上升时间 | t_r | - | 3 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 36 | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 40 | - | ns |
| 二极管正向电流（25°C） | I_S | - | - | -33 | A |
| 脉冲二极管正向电流 | I_SM | - | - | -94 | A |
| 二极管正向电压（I_S=-20A, V_GS=0V） | V_SD | - | -0.9 | -1.3 | V |
| 反向恢复时间 | T_rr | - | 16 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Q_rr | - | 8 | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
