MOS管
强茂PJT7816低压MOS管
更新时间 2024-10-31 15:17
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一、产品概述
PJT7816是强茂推出的一款20V N沟道增强型MOSFET，专为开关负载、PWM（脉冲宽度调制）应用等设计。
该产品采用先进的沟槽工艺技术，确保了良好的电气性能和稳定性。
同时，它符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色环保的封装材料，符合IEC 61249标准，确保了产品的环保性和可靠性。PJT7816的封装形式为SOT-363，体积小、重量轻（约0.006克），便于在小型化电子设备中集成。
二、主要参数
以下是PJT7816低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | 20 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | - | ±8 | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I_D | 750 | - | - | mA |
| 脉冲漏极电流 | I_DM | - | - | 3000 | mA |
| 功耗（25°C） | P_D | - | - | 350 | mW |
| 结温范围 | T_J, T_STG | -55 | - | 150 | °C |
| 热阻（结到环境） | R_θJA | - | - | 357 | °C/W |
| 静态漏源击穿电压 | BV_DSS | 20 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | 0.5 | 0.65 | 1 | V |
| 漏源导通电阻（V_GS=4.5V, I_D=500mA） | R_DS(on) | - | 300 | 400 | mΩ |
| 零栅极电压漏极电流 | I_DSS | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流（V_GS=+8V, V_DS=0V） | I_GSS | - | - | +10 | μA |
| 总栅极电荷（V_DS=10V, I_D=500mA, V_GS=4.5V） | Q_g | - | 1.1 | - | nC |
| 输入电容（V_DS=10V, V_GS=0V, f=1MHz） | C_iss | - | 50 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 12 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 10 | - | pF |
| 开启延迟时间 | t_d(on) | - | 2 | - | ns |
| 开启上升时间 | t_r | - | 22 | - | ns |
| 关闭延迟时间 | t_d(off) | - | 57 | - | ns |
| 关闭下降时间 | t_f | - | 34 | - | ns |
| 二极管最大连续漏源二极管正向电流 | I_S | - | - | 750 | mA |
| 二极管正向电压（I_S=500mA, V_GS=0V） | V_SD | - | 0.9 | 1 | V |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
