MOS管

P通道低压mos管PJD90P03E-AU

更新时间 2024-10-29 16:27 阅读

一、产品概述

PJD90P03E-AU是强茂公司推出的一款30V P通道低压mos管，采用TO-252AA封装形式。

该产品具有低导通电阻（R DS(ON)）、高电流承载能力（-88A连续漏极电流）以及可靠耐用等特点，广泛应用于汽车电子、电源管理、工业控制等领域。

其AEC-Q101的资质认证，更是保证了在汽车等严苛应用环境下的稳定性和可靠性。

二、主要参数

以下是PJD90P03E-AU低压MOS管的主要参数：

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源电压	V DS	-	-30	-	-	V
栅源电压	V GS	±25	-	-	-	V
连续漏极电流（25℃）	I D	T C =25℃	-88	-	-	A
连续漏极电流（100℃）	I D	T C =100℃	-62	-	-	A
脉冲漏极电流（25℃）	I DM	T C =25℃（脉冲宽度<300us，占空比<2%）	-219	-	-	A
功率损耗（25℃）	P D	T C =25℃	-	-	79	W
功率损耗（100℃）	P D	T C =100℃	-	-	40	W
连续漏极电流（25℃）	I D	T A =25℃	-17	-	-	A
连续漏极电流（70℃）	I D	T A =70℃	-14.3	-	-	A
功率损耗（25℃）	P D	T A =25℃	-	-	3	W
功率损耗（70℃）	P D	T A =70℃	-	-	2.1	W
单脉冲雪崩能量	E AS	L=0.5mH，I AS =-24A，V DD =-30V，V GS =-10V	144	-	-	mJ
结温与存储温度范围	T J ，T STG	-	-55	-	175	℃
热阻（结到壳）	R θJC	-	1.9	-	-	℃/W
热阻（结到环境）	R θJA	Mounted on a 1 inch² with 2oz.square pad of copper	50	-	-	℃/W
静态漏源击穿电压	BV DSS	V GS =0V，I D =-250uA	-30	-	-	V
栅极阈值电压	V GS(th)	V DS =V GS ，I D =-250uA	-1	-	-2.5	V
漏源导通电阻	R DS(on)	V GS =-10V，I D =-20A	-	5.1	6.4	mΩ
漏源导通电阻	R DS(on)	V GS =-4.5V，I D =-10A	-	8	10.4	mΩ
零栅压漏电流	I DSS	V DS =-30V，V GS =0V	-	-	-1	uA
栅源泄漏电流	I GSS	V GS =±25V，V DS =0V	-	-	±10	uA
栅源泄漏电流	I GSS	V GS =±10V，V DS =0V	-	-	±1	uA
总栅极电荷	Q g	V DS =-24V，I D =-20A，V GS =-10V	-	68	-	nC
栅源电荷	Q gs	-	9	-	-	nC
栅漏电荷	Q gd	-	20	-	-	nC
输入电容	Ciss	V DS =-25V，V GS =0V，f=1MHz	-	3040	-	pF
输出电容	Coss	-	427	-	-	pF
反向传输电容	Crss	-	344	-	-	pF
栅极电阻	R g	f=1MHz	-	2.2	-	Ω
开通延迟时间	td (on)	V DS =-24V，I D =-20A，V GS =-10V，R G =3Ω	-	12	-	ns
开通上升时间	t r	-	15	-	-	ns
关断延迟时间	td (off)	-	50	-	-	ns
关断下降时间	t f	-	31	-	-	ns
二极管正向电流	I S	T C =25℃	-	-	-88	A
脉冲二极管正向电流	I SM	-	-	-	-219	A
二极管正向电压	V SD	I S =-20A，V GS =0V	-	-0.85	-1.3	V
反向恢复时间	Trr	V GS =0V，I S =-20A dI S /dt=100A/us	-	26	-	ns
反向恢复电荷	Qrr	-	16	-	-	nC

请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。

如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。