MOS管
强茂PJD55P03E-AU低压MOS管
更新时间 2024-10-30 15:14
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一、产品概述
PJD55P03E-AU是强茂推出的一款高性能低压P沟道增强型MOSFET。
该产品采用TO-252AA封装，具备高可靠性、高鲁棒性，并通过AEC-Q101认证，适用于汽车电子等严格要求的应用场景。
PJD55P03E-AU的主要特点是低内阻（在特定条件下，R_DS(ON)可低至12.1mΩ）、高电流承载能力（-48A连续漏极电流）和优异的热性能（热阻R_θJC为3.4°C/W），这些特性使其在各种电路设计中表现出色。
二、主要参数
以下是PJD55P03E-AU低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | - | -30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | ±25 | - | - | ±25 | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I_D | T_C=25°C | - | - | -48 | A |
| 连续漏极电流（100°C） | I_D | T_C=100°C | - | - | -34 | A |
| 脉冲漏极电流（25°C） | I_DM | T_C=25°C，脉冲宽度<300μs，占空比<2% | - | - | -143 | A |
| 功率耗散（25°C） | P_D | T_C=25°C | - | - | 44 | W |
| 功率耗散（100°C） | P_D | T_C=100°C | - | - | 22 | W |
| 栅阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS，I_D=-250μA | -1 | - | -2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS=-10V，I_D=-20A | - | 9.7 | 12.1 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS=-4.5V，I_D=-10A | - | 15.3 | 20 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | V_DS=-30V，V_GS=0V | - | - | -1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=±25V，V_DS=0V | - | - | ±10 | μA |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
