MOS管
强茂低压mos管PJQ4433EP
更新时间 2024-10-29 16:27
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一、产品概述
PJQ4433EP是一款30V P沟道低压mos管，采用DFN3333-8L封装形式。
它具备低导通电阻、高电流承载能力、高可靠性和绿色环保等多重优势。
该MOS管符合欧盟RoHS 2.0标准，采用无铅设计，并采用了符合IEC 61249标准的绿色成型化合物，确保了产品的环保性和安全性。
PJQ4433EP的主要特点包括：低R DS(ON)（在V GS =-10V，I D =-10A条件下小于8.8mΩ），高UIS测试可靠性，以及符合机械数据要求的DFN3333-8L封装。这些特点使得PJQ4433EP在各种电子设备中都能发挥出色的性能。
二、主要参数
以下是PJQ4433EP MOS管的主要参数：
| 参数 | 符号 | 限制/典型/最小 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | -30 | V |
| 栅源电压 | V GS | ±25 | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I D | -62 | A |
| 连续漏极电流（100°C） | I D | -39 | A |
| 脉冲漏极电流（25°C） | I DM | -195 | A |
| 功率损耗（25°C） | P D | 54.3 | W |
| 功率损耗（100°C） | P D | 21.7 | W |
| 连续漏极电流（环境温度25°C） | I D | -12.2 | A |
| 连续漏极电流（环境温度70°C） | I D | -9.7 | A |
| 功率损耗（环境温度25°C） | P D | 2.1 | W |
| 功率损耗（环境温度70°C） | P D | 1.3 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | E AS | 110 | mJ |
| 工作结温和存储温度范围 | T J, T STG | -55~150 | °C |
| 热阻（结到壳） | R θJC | 2.3 | °C/W |
| 热阻（结到环境） | R θJA | 60 | °C/W |
| 静态漏源击穿电压 | BV DSS | -30 | V |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | -1~-2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | -7~8.8 | mΩ（V GS =-10V, I D =-10A） |
| -10.7~14 | mΩ（V GS =-4.5V, I D =-6A） | ||
| 零栅压漏电流 | I DSS | -1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | ±10 | μA |
| 总栅极电荷 | Q g | -54 | nC |
| 栅源电荷 | Q gs | -6 | nC |
| 栅漏电荷 | Q gd | -17 | nC |
| 输入电容 | Ciss | -2310 | pF |
| 输出电容 | Coss | -332 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | -256 | pF |
| 栅极电阻 | R g | -2.3 | Ω |
| 开通延迟时间 | td(on) | -11 | ns |
| 开通上升时间 | t r | -9 | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | -37 | ns |
| 关断下降时间 | t f | -21 | ns |
| 二极管正向电流 | I S | -62 | A |
| 脉冲二极管正向电压 | I SM | -195 | |
| 二极管正向电压 | V SD | -0.85~-1.3 | V |
| 反向恢复时间 | Trr | -22 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | -10 | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
