您好!欢迎访问广州市超毅电子有限公司官方网站!
台湾亿光代理商,连续 25 年代理亿光产品
代理销售台湾亿光、强茂、九木、宏发继电器等产品
联系方式
18922759736
020-84800918
您当前的位置: 超毅电子 > 强茂产品 > MOS管

MOS管

强茂低压mos管PJQ4435EP

更新时间  2024-10-28 16:27 阅读

一、产品概述

PJQ4435EP是强茂的一款30V P通道低压mos管,采用DFN3333-8L封装形式。

该器件以其低导通电阻(RDS(ON))、高电流承载能力(-41A连续漏极电流)及出色的热管理特性(热阻RθJC为3.7°C/W)而著称。

PJQ4435EP完全符合欧盟RoHS 2.0标准,采用无铅绿色成型化合物,符合IEC 61249标准,是一款既可靠又耐用的电子元件。其100% UIS测试和严格的质量控制确保了产品在不同应用中的稳定性和可靠性。

二、主要参数

以下是PJQ4435EP低压MOS管的主要参数:

参数类别符号条件最小值典型值最大值单位
电气参数------
漏源击穿电压BV DSSV GS =0V, I D =-250uA-30--V
栅极阈值电压V GS(th)V DS =V GS , I D =-250uA-1--2.5V
漏源导通电阻R DS(on)V GS =-10V, I D =-10A-1012.5


V GS =-4.5V, I D =-6A-15.620.3
零栅压漏电流I DSSV DS =-30V, V GS =0V---1μA
栅源泄漏电流I GSSV GS =±25V, V DS =0V--±10μA


V GS =±10V, V DS =0V--±1μA
动态参数------
总栅极电荷Q gV DS =-24V, I D =-10A, V GS =-10V-34-nC
栅源电荷Q gs-5--nC
栅漏电荷Q gd-9--nC
输入电容CissV DS =-25V, V GS =0V, f=1MHz-1610-pF
输出电容Coss-275--pF
反向传输电容Crss-210--pF
栅极电阻R gf=1MHz-8-Ω
开通延迟时间td (on)V DS =-24V, I D =-10A, V GS =-10V, R G =3Ω-7-ns
开通上升时间t r-4--ns
关断延迟时间td (off)---51ns
关断下降时间t f---66ns
其他参数------
漏源二极管正向电流I ST C =25°C---41A
脉冲漏源二极管正向电压I SM----138-
漏源二极管正向电压V SDI S =-20A, V GS =0V---1.3V
反向恢复时间TrrV GS =0V, I S =-20A dI S /dt=100A/us--16ns
反向恢复电荷Qrr---7nC
热参数------
结到壳热阻R θJC---3.7°C/W
结到环境热阻R θJAMounted on a 1 inch² with 2oz.square pad of copper--60°C/W
功率耗散------
功率耗散(T C =25°C)P D---33.8W
功率耗散(T C =100°C)P D---13.5W
连续漏极电流------
(T C =25°C)I D----41A
(T C =100°C)I D----26A
环境/结温------
(T A =25°C)I D--10.2--A
(T A =70°C)I D--8.2--A
(T A =25°C)P D---2.1W
(T A =70°C)P D---1.3W
工作温度范围T J ,T STG--55-150°C

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商。