MOS管
P型沟道低压mos管PJQ4437EP
更新时间 2024-10-28 16:27
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一、产品概述
PJQ4437EP是一款30V P型沟道低压mos管，它采用了DFN3333-8L封装形式，具有出色的电气性能和机械性能。
该MOS管的主要特点包括低导通电阻（R DS(ON)）、高电流承载能力（-38A连续漏极电流）、以及良好的热管理特性（热阻R θJC为3.7°C/W）。
此外，PJQ4437EP还通过了100% UIS测试，确保了其可靠性和耐用性。其无铅设计符合欧盟RoHS 2.0标准，绿色环保，符合现代电子制造业的环保要求。
二、主要参数
以下是PJQ4437EP低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | - | -30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V GS | - | ±25 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I D | T C =25°C | -38 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100°C） | I D | T C =100°C | - | - | -24 | A |
| 脉冲漏极电流（25°C） | I DM | T C =25°C，脉冲宽度<300us，占空比<2% | - | - | -123 | A |
| 功耗（25°C） | P D | T C =25°C | - | - | 33.8 | W |
| 功耗（100°C） | P D | T C =100°C | - | - | 13.5 | W |
| 漏源击穿电压 | BV DSS | V GS =0V，I D =-250uA | -30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS ，I D =-250uA | -1 | - | -2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS =-10V，I D =-10A | - | 12.3 | 15.4 | mΩ |
| V GS =-4.5V，I D =-6A | - | 20.8 | 27 | mΩ | ||
| 零栅压漏极电流 | I DSS | V DS =-30V，V GS =0V | - | - | -1 | uA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | V GS =±25V，V DS =0V | - | - | ±10 | uA |
| V GS =±10V，V DS =0V | - | - | ±1 | uA | ||
| 总栅极电荷 | Q g | V DS =-24V，I D =-10A，V GS =-10V | - | 32 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q gs | - | 5 | - | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q gd | - | 10 | - | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | V DS =-25V，V GS =0V，f=1MHz | - | 1270 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 190 | - | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 170 | - | - | pF |
| 栅极电阻 | R g | f=1MHz | - | 7 | - | Ω |
| 开通延迟时间 | td (on) | V DS =-24V，I D =-10A，V GS =-10V，R G =3Ω | - | 7 | - | ns |
| 开通上升时间 | t r | - | 9 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | td (off) | - | - | - | 32 | ns |
| 关断下降时间 | t f | - | 39 | - | - | ns |
| 二极管正向电流 | I S | T C =25°C | - | - | -38 | A |
| 脉冲二极管正向电压 | I SM | - | - | - | -123 | - |
| 二极管正向电压 | V SD | I S =-20A，V GS =0V | - | - | -0.9至-1.3 | V |
| 反向恢复时间 | Trr | V GS =0V，I S =-20A，dI S /dt=100A/us | - | - | 18 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | - | - | 8 | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
