MOS管

强茂低压mos管PJQ4439EP

更新时间 2024-10-25 16:22 阅读

一、产品概述

PJQ4439EP是强茂推出的一款30V P通道增强型MOSFET，具备高可靠性和耐用性，符合欧盟RoHS 2.0标准，采用环保的绿色塑封材料，是电子电路中的关键元件。

其DFN3333-8L封装形式，使得该产品适用于多种应用场景，特别是在需要低压大电流控制的电路中表现出色。

二、主要参数

以下是PJQ4439EP低压MOS管的主要参数：

参数类别	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电气特性
漏源击穿电压	BV_DSS	V_GS=0V, I_D=-250uA	-30	-	-	V
栅极阈值电压	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=-250uA	-1	-	-2.5	V
漏源导通电阻	R_DS(on)	V_GS=-10V, I_D=-10A	-	15.3	19.1	mΩ
		V_GS=-4.5V, I_D=-6A	-	24	31.2	mΩ
零栅压漏电流	I_DSS	V_DS=-30V, V_GS=0V	-	-	-1	uA
栅源泄漏电流	I_GSS	V_GS=±25V, V_DS=0V	-	-	±10	uA
		V_GS=±10V, V_DS=0V	-	-	±1	uA
动态特性
总栅极电荷	Q_g	V_DS=-24V, I_D=-10A, V_GS=-10V	-	22	-	nC
栅源电荷	Q_gs	-	-	3	-	nC
栅漏电荷	Q_gd	-	-	7	-	nC
输入电容	C_iss	V_DS=-25V, V_GS=0V, f=1MHz	-	1012	-	pF
输出电容	C_oss	-	-	145	-	pF
反向传输电容	C_rss	-	-	121	-	pF
栅极电阻	R_g	f=1MHz	-	10.4	-	Ω
开通延迟时间	t_d(on)	V_DS=-24V, I_D=-10A, V_GS=-10V, R_G=3Ω	-	7	-	ns
开通上升时间	t_r	-	-	3	-	ns
关断延迟时间	t_d(off)	-	-	36	-	ns
关断下降时间	t_f	-	-	40	-	ns
其他参数
漏源电压	V_DS	-	-30	-	-	V
栅源电压	V_GS	-	±25	-	-	V
连续漏极电流	I_D	T_C=25°C	-30	-	-	A
		T_C=100°C	-	-	-19	A
脉冲漏极电流	I_DM	T_C=25°C	-90	-	-	A
功耗	P_D	T_C=25°C	-	-	25	W
		T_C=100°C	-	-	10	W
环境温度连续漏极电流	I_D	T_A=25°C	-8.5	-	-	A
		T_A=70°C	-	-	-6.8	A
环境温度功耗	P_D	T_A=25°C	-	-	2.1	W
		T_A=70°C	-	-	1.3	W
单脉冲雪崩能量	E_AS	L=0.5mH, I_AS=-12A, V_DD=-30V, V_GS=-10V	-	-	36	mJ
结温及存储温度范围	T_J, T_STG	-	-55	-	150	°C
热阻（结至壳）	R_θJC	-	-	-	5	°C/W
热阻（结至环境）	R_θJA	Mounted on a 1 inch² with 2oz. square pad of copper	-	-	60	°C/W

请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。

如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。