MOS管
低压mos管PJQ5534
更新时间 2024-10-23 14:23
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一、产品概述
PJQ5534是强茂的一款30V N沟道低压mos管，具备出色的电气性能和可靠的热特性。
该MOS管以其低内阻、高电流承载能力和优秀的逻辑电平驱动能力而著称，广泛应用于各种低压电路中。
二、主要参数
以下是PJQ5534低压MOS管的主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BV_DSS | V_GS=0V, I_D=250uA | 30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250uA | 1.3 | 1.7 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS=10V, I_D=20A | - | 7.4 | 8.9 | mΩ |
| V_GS=4.5V, I_D=10A | - | 11.3 | 14.7 | mΩ | ||
| 零栅极电压漏电流 | I_DSS | V_DS=30V, V_GS=0V | - | - | ±1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=±20V, V_DS=0V | - | - | ±10 | μA |
| V_GS=±10V, V_DS=0V | - | - | ±1 | μA | ||
| 动态参数 | ||||||
| 总栅极电荷 | Q_g | V_DS=24V, I_D=20A, V_GS=10V | - | 9.5 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q_gs | - | 1.2 | - | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q_gd | - | 1.8 | - | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz | - | 490 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 270 | - | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 23 | - | - | pF |
| 栅极电阻 | R_g | f=1MHz | - | 2 | - | Ω |
| 开通延迟时间 | t_d(on) | V_DS=24V, I_D=20A, V_GS=10V, R_G=3Ω | - | 8.8 | - | ns |
| 开通上升时间 | t_r | - | 7 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 18 | - | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 12 | - | - | ns |
| 二极管特性 | ||||||
| 二极管正向电流 | I_S | T_C=25°C | - | - | 37 | A |
| 脉冲二极管正向电流 | I_SM | - | - | - | 148 | A |
| 二极管正向电压 | V_SD | I_S=20A, V_GS=0V | - | 0.9 | 1.1 | V |
| 反向恢复时间 | T_rr | V_GS=0V, I_S=20A, dI_S/dt=100A/us | - | 20 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Q_rr | - | 8.5 | - | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
