MOS管
30V N沟道强茂低压mos管PJQ5530
更新时间 2024-10-22 14:23
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一、产品概述
PJQ5530是强茂的一款高性能30V N沟道强茂低压mos管，以其低内阻、高电流承载能力和出色的逻辑电平驱动特性而著称。
该产品采用DFN5060X-8L封装，不仅符合欧盟RoHS 2.0标准，还采用了符合IEC 61249标准的绿色成型化合物，是电子设备中理想的选择。
二、主要参数
PJQ5530低压MOS管的主要参数如下表所示：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | 30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V GS | ±20 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25℃） | I D @25℃ | 49 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100℃） | I D @100℃ | - | - | 31 | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | I DM @25℃ | 196 | - | - | A |
| 功率耗散（25℃） | P D @25℃ | 27.8 | - | - | W |
| 功率耗散（100℃） | P D @100℃ | - | - | 11 | W |
| 连续漏极电流（TA=25℃） | I D @TA=25℃ | 16 | - | - | A |
| 连续漏极电流（TA=70℃） | I D @TA=70℃ | - | - | 13 | A |
| 功率耗散（TA=25℃） | P D @TA=25℃ | 2.8 | - | - | W |
| 功率耗散（TA=70℃） | P D @TA=70℃ | - | - | 1.8 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | E AS | 20 | - | - | mJ |
| 结温范围 | T J ,T STG | -55~150 | - | - | ℃ |
| 热阻（结到壳） | R θJC | 4.5 | - | - | ℃/W |
| 热阻（结到环境） | R θJA | 45 | - | - | ℃/W |
| 静态漏源击穿电压 | BV DSS | 30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | 1.3 | 1.7 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻（V GS =10V, I D =20A） | R DS(on) | - | 6.1 | 7.3 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V GS =4.5V, I D =10A） | R DS(on) | - | 9.8 | 12.7 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | - | - | ±1 | μA |
| 栅源泄漏电流（V GS =±20V, V DS =0V） | I GSS | - | - | ±10 | μA |
| 栅源泄漏电流（V GS =±10V, V DS =0V） | I GSS | - | - | ±1 | μA |
| 总栅极电荷（V DS =24V, I D =20A, V GS =10V） | Q g | - | 12.4 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q gs | - | 2 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q gd | - | 3.4 | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
