MOS管
强茂低压mos管PJQ5528
更新时间 2024-10-22 14:23
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一、产品概述
PJQ5528是强茂的一款30V N沟道低压MOSFET，该MOSFET专为逻辑电平驱动设计，是各类电子系统中的理想选择。
二、主要参数
以下是PJQ5528低压MOS管的主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BV DSS | V GS =0V, I D =250uA | 30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS , I D =250uA | 1.3 | 1.7 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS =10V, I D =20A | - | 5 | 6 | mΩ |
| V GS =4.5V, I D =10A | - | 7.5 | 9.8 | mΩ | ||
| 零栅压漏电流 | I DSS | V DS =30V, V GS =0V | - | - | ±1 | μA |
| 栅源漏电流 | I GSS | V GS =±20V, V DS =0V | - | - | ±10 | μA |
| V GS =±10V, V DS =0V | - | - | ±1 | μA | ||
| 动态特性 | ||||||
| 总栅极电荷 | Q g | V DS =24V, I D =20A, V GS =10V | - | 11 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q gs | - | 2.4 | - | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q gd | - | 1.3 | - | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | V DS =25V, V GS =0V, f=1MHz | - | 710 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 346 | - | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 30 | - | - | pF |
| 栅极电阻 | R g | f=1MHz | - | 1.7 | - | Ω |
| 开通延迟时间 | td (on) | V DS =24V, I D =20A, V GS =10V, R G =3Ω | - | 9 | - | ns |
| 开通上升时间 | t r | - | 2 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | td (off) | - | - | 20 | - | ns |
| 关断下降时间 | t f | - | 7 | - | - | ns |
| 二极管特性 | ||||||
| 二极管正向电流 | I S | T C =25°C | - | - | 58 | A |
| 脉冲二极管正向电流 | I SM | - | - | - | 232 | A |
| 二极管正向电压 | V SD | I S =20A, V GS =0V | - | 0.85 | 1.1 | V |
| 反向恢复时间 | Trr | V GS =0V, I S =20A, dI S /dt=100A/us | - | 14 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | - | 13 |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
