MOS管
强茂低压mos管PJQ5526
更新时间 2024-10-21 14:23
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一、产品概述
PJQ5526是一款30V N沟道强茂低压mos管，采用DFN5060X-8L封装，具有极低的导通电阻和出色的电气性能。
其设计符合欧盟RoHS 2.0标准，采用环保的绿色塑封材料，符合IEC 61249标准。
PJQ5526特别适用于需要高电流、低电压驱动的应用场景，如电源管理、电机驱动等。
二、主要参数
以下是PJQ5526低压MOS管的主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 机械数据 | 封装类型 | - | - | - | DFN5060X-8L | - |
| 重量 | - | - | - | 0.087 | 克 | |
| 电气规格 | 漏源电压 | - | 30 | - | - | V |
| 栅源电压 | - | -20~20 | - | - | V | |
| 25℃下连续漏极电流 | T C =25℃ | 68 | - | - | A | |
| 100℃下连续漏极电流 | T C =100℃ | 43 | - | - | A | |
| 25℃下脉冲漏极电流 | T C =25℃ | 272 | - | - | A | |
| 25℃下功耗 | T C =25℃ | - | - | 35.7 | W | |
| 100℃下功耗 | T C =100℃ | - | - | 14.3 | W | |
| 25℃下连续漏极电流（散热片） | T A =25℃ | 20 | - | - | A | |
| 70℃下连续漏极电流（散热片） | T A =70℃ | 15 | - | - | A | |
| 25℃下功耗（散热片） | T A =25℃ | - | - | 2.8 | W | |
| 70℃下功耗（散热片） | T A =70℃ | - | - | 1.8 | W | |
| 单脉冲雪崩能量 | L=0.5mH, I AS =11A, V DD =30V, V GS =10V | - | - | 30 | mJ | |
| 工作结温和存储温度范围 | - | -55 | - | 150 | ℃ | |
| 结到壳热阻 | - | - | - | 3.5 | ℃/W | |
| 结到环境热阻 | 安装在1英寸²的2盎司方形铜垫片上 | - | - | 45 | ℃/W | |
| 静态特性 | 漏源击穿电压 | V GS =0V, I D =250uA | 30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V DS =V GS , I D =250uA | 1.3 | 1.7 | 2.5 | V | |
| 漏源导通电阻 | V GS =10V, I D =20A | - | 4.1 | 4.9 | mΩ | |
| V GS =4.5V, I D =20A | - | 6 | 7.8 | mΩ | ||
| 零栅压漏极电流 | V DS =30V, V GS =0V | - | - | ±1 | uA | |
| 栅源泄漏电流 | V GS =±20V, V DS =0V | - | - | ±10 | uA |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
