MOS管
强茂PJQ5524低压mos管
更新时间 2024-10-21 14:23
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一、产品概述
PJQ5524是强茂公司推出的一款30V N沟道低压mos管，具有低内阻、高电流承载能力、优异的逻辑电平驱动特性，并且符合欧盟RoHS 2.0标准，采用环保的绿色成型化合物。
这款产品以其卓越的性能和稳定的品质，广泛应用于各种电子设备中，满足了用户对高性能、高可靠性电子元件的需求。
二、主要参数
以下是PJQ5524低压MOS管的主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 机械数据 | 封装类型 | - | DFN5060X-8L | - | - |
| 引脚焊接标准 | - | 按照MIL-STD-750, 方法2026 | - | - | |
| 重量 | - | 约0.087 | - | 克 | |
| 最大额定值 | 漏源电压VDS | 30 | - | - | V |
| 栅源电压VGS | ±20 | - | - | V | |
| 25℃时连续漏极电流ID | - | - | 85 | A | |
| 100℃时连续漏极电流ID | - | - | 54 | A | |
| 25℃时脉冲漏极电流IDM | - | - | 340 | A | |
| 25℃时功耗PD | - | - | 41.7 | W | |
| 100℃时功耗PD | - | - | 16.7 | W | |
| 25℃时连续漏极电流ID（带散热片） | - | - | 22 | A | |
| 70℃时连续漏极电流ID（带散热片） | - | - | 18 | A | |
| 25℃时功耗PD（带散热片） | - | - | 2.8 | W | |
| 70℃时功耗PD（带散热片） | - | - | 1.8 | W | |
| 单脉冲雪崩能量EAS | - | - | 46 | mJ | |
| 结温与存储温度范围TJ, TSTG | -55 | - | 150 | ℃ | |
| 结壳热阻RθJC | - | - | 3 | ℃/W | |
| 结至环境热阻RθJA | - | - | 45 | ℃/W | |
| 电特性 | 漏源击穿电压BVDSS | 30 | - | - | V |
| 栅阈值电压VGS(th) | 1.3 | 1.7 | 2.5 | V | |
| 栅源导通电阻RDS(on)（VGS=10V, ID=20A） | - | 3 | 3.6 | mΩ | |
| 栅源导通电阻RDS(on)（VGS=4.5V, ID=20A） | - | 4.7 | 6.1 | mΩ | |
| 零栅压漏极电流IDSS | - | - | ±1 | µA | |
| 栅源泄漏电流IGSS | - | - | ±100 | nA | |
| 总栅极电荷Qg（VDS=24V, ID=20A, VGS=10V） | - | 21 | - | nC | |
| 栅源电荷Qgs | - | 3.6 | - | nC | |
| 栅漏电荷Qgd | - | 3.2 | - | nC | |
| 输入电容Ciss（VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz） | - | 1260 | - | pF |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
