MOS管

强茂PJQ5439E低压MOS管

更新时间 2024-10-18 16:39 阅读

产品概述

强茂PJQ5439E是一款低压P沟道低压mos管，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于各种低电压、高电流需求的电路应用。

该产品以其高可靠性和稳定性，在电源管理、电机驱动等领域得到广泛应用。

主要参数

以下是强茂PJQ5439E低压MOS管的主要参数：

参数名称	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源电压	V DS	-	-30	-	-	V
栅源电压	V GS	-	±25	-	-	V
连续漏极电流（25°C）	I D	T C =25°C	-30	-	-	A
连续漏极电流（100°C）	I D	T C =100°C	-	-19	-	A
脉冲漏极电流（25°C）	I DM	T C =25°C	-	-98	-	A
功率耗散（25°C）	P D	T C =25°C	-	28	-	W
功率耗散（100°C）	P D	T C =100°C	-	11	-	W
连续漏极电流（25°C环境）	I D	T A =25°C	-9.6	-	-	A
连续漏极电流（70°C环境）	I D	T A =70°C	-7.7	-	-	A
功率耗散（25°C环境）	P D	T A =25°C	-	2.8	-	W
功率耗散（70°C环境）	P D	T A =70°C	-	1.8	-	W
单脉冲雪崩能量	E AS	-	-	42	-	mJ
工作结温和存储温度范围	T J ,T STG	-	-55	-	150	°C
热阻（结到壳）	R θJC	-	-	4.5	-	°C/W
热阻（结到环境）	R θJA	-	-	45	-	°C/W
静态漏源击穿电压	BV DSS	V GS =0V, I D =-250uA	-30	-	-	V
栅阈值电压	V GS(th)	V DS =V GS , I D =-250uA	-1	-	-2.5	V
漏源导通电阻（V GS =-10V）	R DS(on)	V GS =-10V, I D =-20A	-	15	18.8	mΩ
漏源导通电阻（V GS =-4.5V）	R DS(on)	V GS =-4.5V, I D =-10A	-	23.6	30.7	mΩ
零栅压漏极电流	I DSS	V DS =-30V, V GS =0V	-	-	-1	μA
栅源泄漏电流（V GS =±25V）	I GSS	V GS =±25V, V DS =0V	-	-	±10	μA
栅源泄漏电流（V GS =±10V）	I GSS	V GS =±10V, V DS =0V	-	-	±1	μA
总栅极电荷	Q g	V DS =-24V, I D =-20A, V GS =-10V	-	22	-	nC
栅源电荷	Q gs	-	-	3	-	nC
栅漏电荷	Q gd	-	-	7	-	nC
输入电容	Ciss	V DS =-25V, V GS =0V, f=1MHz	-	1009	-	pF
输出电容	Coss	-	-	143	-	pF
反向传输电容	Crss	-	-	119	-	pF
栅极电阻	R g	f=1MHz	-	10.4	-	Ω
开通延迟时间	td (on)	V DS =-24V, I D =-20A, V GS =-10V, R G =3Ω	-	7	-	ns
开通上升时间	t r	-	-	3	-	ns
关断延迟时间	td (off)	-	-	36	-	ns
关断下降时间	t f	-	-	40	-	ns
二极管正向电流	I S	T C =25°C	-	-	-30	A
脉冲二极管正向电流	I SM	-	-	-98	-	A
二极管正向电压	V SD	I S =-20A, V GS =0V	-	-0.9	-1.3	V
反向恢复时间	Trr	V GS =0V, I S =-20A dI S /dt=100A/us	-	16	-	ns
反向恢复电荷	Qrr	-	-	8	-	nC

请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。

如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。