MOS管
强茂低压MOS管PJQ5435E
更新时间 2024-10-18 16:39
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产品概述
强茂低压MOS管PJQ5435E是一款P沟道30V低压mos管，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能。
它适用于各种需要高效能功率管理的电子设备中，如移动设备、通信设备、家用电器和工业控制系统等。
主要参数
以下是PJQ5435E的主要参数：
| 参数符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V DS | - | -30 | - | - | V |
| V GS | - | ±25 | - | - | V |
| I D (T C =25°C) | - | - | -43 | - | A |
| I D (T C =100°C) | - | - | -27 | - | A |
| I DM (T C =25°C) | - | - | -143 | - | A |
| P D (T C =25°C) | - | - | 36 | - | W |
| P D (T C =100°C) | - | - | 14 | - | W |
| I D (T A =25°C) | - | - | -12 | - | A |
| I D (T A =70°C) | - | - | -9.6 | - | A |
| P D (T A =25°C) | - | - | 2.8 | - | W |
| P D (T A =70°C) | - | - | 1.8 | - | W |
| E AS | - | - | 56 | - | mJ |
| T J, T STG | - | -55 | - | 150 | °C |
| R θJC | - | - | 3.5 | - | °C/W |
| R θJA | - | - | 45 | - | °C/W |
| BV DSS | V GS =0V, I D =-250uA | -30 | - | - | V |
| V GS(th) | V DS =V GS, I D =-250uA | - | -1 | -2.5 | V |
| R DS(on) | V GS =-10V, I D =-20A | - | 9.7 | 12.1 | mΩ |
| R DS(on) | V GS =-4.5V, I D =-10A | - | 15.3 | 20 | mΩ |
| I DSS | V DS =-30V, V GS =0V | - | - | -1 | uA |
| I GSS | V GS =±25V, V DS =0V | - | - | ±10 | uA |
| I GSS | V GS =±10V, V DS =0V | - | - | ±1 | uA |
| Q g | V DS =-24V, I D =-20A, V GS =-10V | - | 34 | - | nC |
| Q gs | - | - | 5 | - | nC |
| Q gd | - | - | 9 | - | nC |
| Ciss | V DS =-25V, V GS =0V, f=1MHz | - | 1610 | - | pF |
| Coss | - | - | 273 | - | pF |
| Crss | - | - | 219 | - | pF |
| R g | f=1MHz | - | 8 | - | Ω |
| td(on) | V DS =-24V, I D =-20A, V GS =-10V, R G =3Ω | - | 7 | - | ns |
| t r | - | - | 4 | - | ns |
| td(off) | - | - | 51 | - | ns |
| t f | - | - | 66 | - | ns |
| I S | T C =25°C | - | - | -43 | A |
| I SM | - | - | - | -143 | A |
| V SD | I S =-20A, V GS =0V | - | - | -1.3 | V |
| Trr | V GS =0V, I S =-20A, dI S /dt=100A/us | - | 16 | - | ns |
| Qrr | - | - | 7 | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
