MOS管
强茂低压mos管PJQ5433E
更新时间 2024-10-15 14:27
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一、产品概述
PJQ5433E是一款30V P通道强茂低压mos管，其采用DFN5060X-8L封装形式，具备低内阻、高电流承载能力等特点。
该MOS管专为需要高效、低功耗的应用场景设计，如电源管理、电池保护、马达驱动等。
PJQ5433E的电气性能稳定，100% UIS测试，确保了产品的可靠性和耐用性。同时，它还符合欧盟RoHS 2.0标准，采用无铅绿色封装材料，符合环保要求。
二、主要参数
以下是PJQ5433E低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | - | -30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | ±25 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I_D | T_C=25°C | -68 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100°C） | I_D | T_C=100°C | -43 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流（25°C） | I_DM | T_C=25°C，脉冲宽度<300us，占空比<2% | -215 | - | - | A |
| 功耗（25°C） | P_D | T_C=25°C | - | - | 62.5 | W |
| 功耗（100°C） | P_D | T_C=100°C | - | - | 25 | W |
| 结至环境温度热阻 | R_θJA | 安装在1平方英寸、2盎司方形铜垫片上 | - | - | 45 | °C/W |
| 栅阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS，I_D=-250uA | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS=-10V，I_D=-20A | - | 6.7 | 8.4 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS=-4.5V，I_D=-10A | - | 10.4 | 13.5 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | V_DS=-30V，V_GS=0V | - | - | -1 | uA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=±25V，V_DS=0V | - | - | ±10 | uA |
| 总栅电荷 | Q_g | V_DS=-24V，I_D=-20A，V_GS=-10V | - | 54 | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=-25V，V_GS=0V，f=1MHz | - | 2310 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | - | 332 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | - | 256 | - | pF |
| 栅电阻 | R_g | f=1MHz | - | 2.3 | - | Ω |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
