MOS管
强茂低压mos管PJQ4534P
更新时间 2024-10-15 11:46
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产品概述
强茂MOS管PJQ4534P是一款高性能的30V N沟道强茂低压mos管（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效能、高可靠性的电子应用设计。
该产品采用DFN3333-8L封装，具备低导通电阻（RDS(ON)）、出色的开关性能以及符合RoHS 2.0标准的绿色环保材料，使其在各种电源管理、马达驱动及开关电源等应用场景中表现出色。
PJQ4534P的主要特点包括：
- 低导通电阻：在VGS=10V、ID=10A的条件下，RDS(ON)低至8.9mΩ，有效降低了功耗，提高了系统效率。
- 高开关速度：优异的开关特性使其能够快速响应电路变化，减少开关损耗。
- 宽温度范围：支持-55°C至150°C的工作温度范围，适用于各种恶劣环境。
- 绿色环保：采用符合IEC 61249标准的绿色模具化合物，符合现代电子产品的环保要求。
主要参数
以下是PJQ4534P强茂低压mos管的主要技术参数：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | - | 30 | - | - | V |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25°C） | ID | TC=25°C | 36 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100°C） | ID | TC=100°C | 23 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流（25°C） | IDM | TC=25°C | 144 | - | - | A |
| 功率耗散（25°C） | PD | TC=25°C | 18 | - | - | W |
| 功率耗散（100°C） | PD | TC=100°C | 7 | - | - | W |
| 阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250uA | 1.3 | 1.7 | 2.5 | V |
| 导通电阻（VGS=10V, ID=10A） | RDS(on) | - | - | 7.4 | 8.9 | mΩ |
| 导通电阻（VGS=4.5V, ID=6A） | RDS(on) | - | - | 11.3 | 14.7 | mΩ |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | ±1 | uA |
| 栅源泄漏电流（VGS=±20V） | IGSS | VDS=0V | - | - | ±10 | uA |
| 栅源泄漏电流（VGS=±10V） | IGSS | VDS=0V | - | - | ±1 | uA |
| 总栅电荷（VDS=24V, ID=10A） | Qg | VGS=10V | - | 9.5 | - | nC |
| 输入电容（VDS=25V, VGS=0V） | Ciss | f=1MHz | - | 490 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | - | 270 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | - | 23 | - | pF |
| 开启延迟时间 | td(on) | VDS=24V, ID=10A, VGS=10V | - | 8.8 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | - | 7 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 18 | - | ns |
| 下降时间 | tf | - | - | 12 | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
