MOS管

强茂低压mos管PJQ4530P

更新时间 2024-10-14 11:35 阅读

PJQ4530P是强茂公司的一款30V N沟道强茂低压mos管，采用DFN3333-8L封装形式。

该产品具有极低的导通电阻（R DS(ON)），在V GS =10V、I D =10A的条件下，导通电阻小于7.8mΩ，极大地降低了功耗，提高了效率。

强茂低压mos管PJQ4530P还具备出色的逻辑电平驱动能力，使其能够轻松应对各种复杂的电路需求。

该产品符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色环保的封装材料，确保了产品的环保性和安全性。

其机械性能也十分优越，封装端子具有良好的焊接性，能够满足各种恶劣环境下的使用需求。

以下表格详细列出了PJQ4530P强茂低压mos管的主要参数：

参数类型	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
极限参数	V DS	-	-	-	30	V
	V GS	-	-20	-	20	V
	I D @25°C	T C =25°C	-	-	45	A
	I D @100°C	T C =100°C	-	-	28	A
	I DM	Pulse width<100us, Duty cycle<2%@25°C	-	-	180	A
	P D @25°C	T C =25°C	-	-	25	W
	P D @100°C	T C =100°C	-	-	10	W
	E AS	L=0.5mH, I AS =9A, V DD =30V, V GS =10V	-	-	18	mJ
	T J ,T STG	-	-55	-	150	°C
	R θJC	-	-	-	5	°C/W
	R θJA	Mounted on a 1 inch² with 2oz. square pad of copper	-	-	60	°C/W
静态参数	BV DSS	V GS =0V, I D =250uA	30	-	-	V
	V GS(th)	V DS =V GS , I D =250uA	1.3	1.7	2.5	V
	R DS(on)	V GS =10V, I D =10A	-	6.5	7.8	mΩ
		V GS =4.5V, I D =6A	-	10	13	mΩ
	I DSS	V DS =30V, V GS =0V	-	-	±1	μA
	I GSS	V GS =±20V, V DS =0V	-	-	±10	μA
动态参数	Q g	V DS =24V, I D =10A, V GS =10V	-	12.4	-	nC
	Q gs	-	-	2	-	nC
	Q gd	-	-	3.4	-	nC
	Ciss	V DS =25V, V GS =0V, f=1MHz	-	600	-	pF

请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。

如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。