MOS管
强茂低压mos管PJQ4528P
更新时间 2024-10-14 11:32
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一、产品概述
PJQ4528P是一款30V N沟道低压MOS管，以其卓越的电气性能和可靠的机械特性，在电源管理、电机驱动、汽车电子等领域展现出广泛的应用前景。
该产品采用DFN3333-8L封装，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点，能够满足各种高要求的应用场景。
二、主要参数
以下是PJQ4528P强茂低压mos管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | - | 30 | - | - | V |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | - | - | V |
| 连续漏电流（25℃） | ID | - | 51 | - | - | A |
| 连续漏电流（100℃） | ID | - | 32 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | IDM | Pulse width<100us, Duty cycle<2% | 204 | - | - | A |
| 功耗（25℃） | PD | - | 26.6 | - | - | W |
| 功耗（100℃） | PD | - | 10.6 | - | - | W |
| 静态漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 栅阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250uA | 1.3 | 1.76 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻（VGS=10V, ID=12A） | RDS(on) | - | - | 5.4 | 6.5 | mΩ |
| 漏源导通电阻（VGS=4.5V, ID=9A） | RDS(on) | - | - | 8.1 | 10.5 | mΩ |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±10 | uA |
| 总栅电荷（VDS=15V, ID=12A, VGS=10V） | Qg | - | - | 10.7 | - | nC |
| 输入电容（VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz） | Ciss | - | - | 785 | - | pF |
| 输出电容（f=1MHz） | Coss | - | - | 375 | - | pF |
| 反向传输电容（f=1MHz） | Crss | - | - | 25 | - | pF |
| 栅电阻（f=1MHz） | Rg | - | - | 2 | - | Ω |
| 开启延迟时间（VDS=15V, ID=1A, VGS=10V, RG=1Ω） | td(on) | - | - | 9 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | - | 2 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 20 | - | ns |
| 下降时间 | tf | - | - | 7 | - | ns |
| 二极管正向电流（25℃） | IS | - | - | 51 | - | A |
| 二极管正向电压（IS=10A, VGS=0V） | VSD | - | 0.83 | - | 1.1 | V |
| 反向恢复时间（VGS=0V, IS=10A, dIS/dt=100A/us） | Trr | - | - | 14 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | - | 13 | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
