MOS管
强茂低压mos管PJQ4526P
更新时间 2024-10-12 16:50
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一、产品概述
PJQ4526P是一款30V N沟道低压mos管，专为需要高效能和低功耗的电子设备设计。
它采用DFN3333-8L封装，体积小巧，便于集成到各种电路中。
强茂低压mos管PJQ4526P不仅具有极低的导通电阻和出色的电流承受能力，还具备优秀的热管理特性，确保在长时间高负荷工作下依然稳定可靠。
强茂低压mos管PJQ4526P的特点包括：
- 低导通电阻：在V_GS=10V，I_D=10A的条件下，导通电阻小于5.5mΩ，有效降低了功耗，提高了电路效率。
- 高电流承受能力：连续漏极电流（I_D）在25°C时可达62A，满足高电流需求的应用场景。
- 优秀的热管理：热阻（R_θJC）仅为4°C/W，有助于快速散热，保持芯片温度稳定。
- 环保设计：符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，符合国际环保要求。
二、主要参数
强茂低压mos管PJQ4526P的主要参数如下表所示：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | - | 30 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | ±20 | - | - | V |
| 连续漏极电流（T_C=25°C） | I_D | - | - | - | 62 | A |
| 连续漏极电流（T_C=100°C） | I_D | - | - | - | 39 | A |
| 脉冲漏极电流（T_C=25°C） | I_DM | 脉冲宽度<100us，占空比<2% | - | - | 248 | A |
| 功耗（T_C=25°C） | P_D | - | - | - | 31.3 | W |
| 功耗（T_C=100°C） | P_D | - | - | - | 12.5 | W |
| 栅阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS，I_D=250uA | 1.3 | 1.7 | 2.5 | V |
| 导通电阻（V_GS=10V，I_D=10A） | R_DS(on) | - | - | 4.6 | 5.5 | mΩ |
| 导通电阻（V_GS=4.5V，I_D=6A） | R_DS(on) | - | - | 6.4 | 8.3 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | V_DS=30V，V_GS=0V | - | - | ±1 | uA |
| 栅源泄漏电流（V_GS=±20V） | I_GSS | V_DS=0V | - | - | ±10 | uA |
| 总栅极电荷 | Q_g | V_DS=24V，I_D=10A，V_GS=10V | - | 15 | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=25V，V_GS=0V，f=1MHz | - | 923 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | - | 442 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | - | 36 | - | pF |
| 栅极电阻 | R_g | f=1MHz | - | 1.6 | - | Ω |
| 开启延迟时间 | t_d(on) | V_DS=24V，I_D=10A，V_GS=10V，R_G=3Ω | - | 13 | - | ns |
| 上升时间 | t_r | - | - | 8 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | - | 24 | - | ns |
| 下降时间 | t_f | - | - | 23 | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
