MOS管

强茂低压mos管PJQ4524P

更新时间 2024-10-12 16:50 阅读

PJQ4524P是强茂推出的一款30V N沟道强茂低压mos管，采用DFN3333-8L封装形式。

作为一款低压MOS管，PJQ4524P以其低内阻、高电流承载能力和优异的热性能脱颖而出，其逻辑电平驱动特性，使得在数字电路中的开关控制更加精准高效。

PJQ4524P还符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色环保的塑封化合物，彰显了强茂对环保和可持续发展的承诺。

PJQ4524P强茂低压MOS管的主要参数详细如下：

参数类别	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电气特性
漏源击穿电压	BV_DSS	V_GS=0V, I_D=250uA	30	-	-	V
栅极阈值电压	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=250uA	1.3	1.7	2.5	V
漏源导通电阻	R_DS(on)	V_GS=10V, I_D=10A	-	3.5	4.2	mΩ
		V_GS=4.5V, I_D=6A	-	5.4	7	mΩ
零栅压漏电流	I_DSS	V_DS=30V, V_GS=0V	-	-	±1	uA
栅源泄漏电流	I_GSS	V_GS=±20V, V_DS=0V	-	-	±100	nA
动态特性
总栅极电荷	Q_g	V_DS=24V, I_D=10A, V_GS=10V	-	21	-	nC
栅源电荷	Q_gs	-	3.6	-	-	nC
栅漏电荷	Q_gd	-	3.2	-	-	nC
输入电容	C_iss	V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz	-	1260	-	pF
输出电容	C_oss	-	560	-	-	pF
反向传输电容	C_rss	-	44	-	-	pF
栅极电阻	R_g	f=1MHz	-	0.85	-	Ω
开启延迟时间	t_d(on)	V_DS=24V, I_D=10A, V_GS=10V, R_G=3Ω	-	15	-	ns
开启上升时间	t_r	-	26	-	-	ns
关断延迟时间	t_d(off)	-	24	-	-	ns
关断下降时间	t_f	-	5	-	-	ns
极限参数
漏源电压	V_DS	-	-	-	30	V
栅源电压	V_GS	-	-20	-	20	V
连续漏电流（25°C）	I_D	T_C=25°C	-	-	75	A
连续漏电流（100°C）		T_C=100°C	-	-	48	A
脉冲漏极电流	I_DM	T_C=25°C	-	-	300	A
功率耗散（25°C）	P_D	T_C=25°C	-	-	38	W
功率耗散（100°C）		T_C=100°C	-	-	15.2	W
结到环境热阻	R_θJA	Mounted on a 1 inch² with 2 oz. square pad of copper	-	-	60	°C/W
结到壳热阻	R_θJC	-	-	-	3.3	°C/W

请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。

如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。