MOS管
强茂低压mos管PJQ5534-AU
更新时间 2024-10-12 16:50
阅读
一、产品概述
PJQ5534-AU是强茂电子生产的一款30V N沟道低压mos管，专为高效能、低功耗的应用场景设计。
强茂低压mos管DFN5060-8L封装，具有极低的内阻（R_DS(ON)）和优秀的FOM（品质因数），能够在高压、大电流条件下保持出色的性能。
强茂低压mos管PJQ5534-AU支持逻辑电平驱动，符合AEC-Q101标准，并通过欧盟RoHS 2.0认证，确保了产品的环保和可靠性。其机械性能稳定，封装可焊性符合MIL-STD-750标准，重量约为0.08克，便于在各种电子设备中集成使用。
二、主要参数
PJQ5534-AU强茂低压mos管的主要参数如下表所示：
| 参数符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V_DS | - | 30 | - | - | V |
| V_GS | - | -20 | - | 20 | V |
| I_D | T_C=25°C | 39 | - | - | A |
| I_D | T_C=100°C | 28 | - | - | A |
| I_DM | T_C=25°C | 156 | - | - | A |
| P_D | T_C=25°C | 23 | - | - | W |
| P_D | T_C=100°C | 11.5 | - | - | W |
| R_DS(on) | V_GS=10V, I_D=20A | - | 7.4 | 9.3 | mΩ |
| R_DS(on) | V_GS=4.5V, I_D=10A | - | 11.3 | 14.7 | mΩ |
| V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250uA | 1.3 | 1.8 | 2.5 | V |
| I_DSS | V_DS=30V, V_GS=0V | - | - | ±1 | uA |
| I_GSS | V_GS=±20V, V_DS=0V | - | - | ±10 | uA |
| Q_g | V_DS=24V, I_D=20A, V_GS=10V | - | 9.5 | - | nC |
| Q_gs | - | - | 1.2 | - | nC |
| Q_gd | - | - | 1.8 | - | nC |
| C_iss | V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz | - | 490 | - | pF |
| C_oss | - | - | 270 | - | pF |
| C_rss | - | - | 23 | - | pF |
| R_g | f=1MHz | - | 2 | - | Ω |
| t_d(on) | V_DS=24V, I_D=20A, V_GS=10V, R_G=3Ω | - | 8.8 | - | ns |
| t_r | - | - | 7 | - | ns |
| t_d(off) | - | - | 18 | - | ns |
| t_f | - | - | 12 | - | ns |
| E_AS | - | - | - | 16 | mJ |
| T_J, T_STG | - | -55 | - | 175 | °C |
| R_θJC | - | - | 6.5 | - | °C/W |
| R_θJA | - | - | 45 | - | °C/W |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
