MOS管
强茂低压mos管PJQ5530-AU
更新时间 2024-10-12 16:50
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一、产品概述
PJQ5530-AU是一款专为高性能应用设计的30V N沟道低压MOS管。
它采用先进的DFN5060-8L封装，不仅体积小、重量轻，还具备出色的散热性能和电气特性。
该器件以其低内阻、高电流承载能力和快速的开关速度，在电源管理、电机驱动、LED照明等多个领域展现出卓越的性能。
PJQ5530-AU的主要特点包括：
- 低内阻设计：在V GS =10V、I D =20A的条件下，R DS(ON)低于7.5mΩ，有效降低功耗，提升系统效率。
- 高电流承载能力：连续漏极电流可达53A（T C =25°C），轻松应对高功率密度应用。
- 快速开关速度：得益于优化的栅极电荷和输入电容，PJQ5530-AU具备快速的开关响应能力，减少开关损耗。
- 绿色环保：符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，符合现代电子产品的环保要求。
- AEC-Q101认证：经过严格的汽车级认证，确保在汽车电子领域的可靠应用。
二、主要参数
以下是该器件的主要参数列表：
| 参数符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V DS | - | - | - | 30 | V |
| V GS | - | -20 | - | 20 | V |
| I D | T C =25°C | - | - | 53 | A |
| I D | T C =100°C | - | - | 37 | A |
| I DM | T C =25°C，脉冲宽度<100μs，占空比<2% | - | - | 212 | A |
| P D | T C =25°C | - | - | 33 | W |
| P D | T C =100°C | - | - | 17 | W |
| R DS(on) | V GS =10V, I D =20A | - | 6 | 7.5 | mΩ |
| R DS(on) | V GS =4.5V, I D =10A | - | 9.7 | 12.6 | mΩ |
| V GS(th) | V DS =V GS , I D =250μA | 1.3 | 1.8 | 2.5 | V |
| I DSS | V DS =30V, V GS =0V | - | - | ±1 | μA |
| I GSS | V GS =±20V, V DS =0V | - | - | ±10 | μA |
| Q g | V DS =24V, I D =20A, V GS =10V | - | 12.4 | - | nC |
| Q gs | - | - | 2 | - | nC |
| Q gd | - | - | 3.4 | - | nC |
| Ciss | V DS =25V, V GS =0V, f=1MHz | - | 600 | - | pF |
| Coss | - | - | 254 | - | pF |
| Crss | - | - | 71 | - | pF |
| R g | f=1MHz | - | 1.1 | - | Ω |
| td(on) | V DS =24V, I D =20A, V GS =10V, R G =3Ω | - | 9 | - | ns |
| t r | - | - | 10 | - | ns |
| td(off) | - | - | 20 | - | ns |
| t f | - | - | 16 | - | ns |
| I S | T C =25°C | - | - | 53 | A |
| I SM | - | - | - | 212 | A |
| V SD | I S =20A, V GS =0V | - | 0.79 | 1.1 | V |
| Trr | V GS =0V, I S =20A, dI S /dt=100A/μs | - | 25 | - | ns |
| Qrr | - | - | 11 | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
