MOS管
强茂低压mos管-PJQ5526-AU
更新时间 2024-10-12 16:41
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一、产品概述
PJQ5526-AU是强茂的一款30V N沟道低压MOS管。
它采用DFN5060-8L封装，不仅体积小巧，而且具有出色的电气性能和热稳定性。
这款MOS管的主要特点包括低导通电阻、高电流承载能力、快速的开关速度以及优秀的逻辑电平驱动能力。
这些特点使得PJQ5526-AU非常适合于各种需要高效率、低功耗的电路应用，如电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。
二、主要参数
以下是PJQ5526-AU低压MOS管的主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源电压 | V_DS | - | - | - | 30 | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | -20 | - | 20 | V |
| 连续漏极电流（T_C=25°C） | I_D | - | - | 73 | - | A |
| 连续漏极电流（T_C=100°C） | I_D | - | - | 52 | - | A |
| 脉冲漏极电流（T_C=25°C） | I_DM | - | - | - | 292 | A |
| 功率耗散（T_C=25°C） | P_D | - | - | 43 | - | W |
| 功率耗散（T_C=100°C） | P_D | - | - | 21.4 | - | W |
| 静态漏源击穿电压 | BV_DSS | V_GS=0V, I_D=250uA | 30 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250uA | 1.3 | 1.8 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻（V_GS=10V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | - | 4 | 5 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V_GS=4.5V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | - | 6 | 7.8 | mΩ |
| 零栅压漏电流 | I_DSS | V_DS=30V, V_GS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源泄漏电流（V_GS=±20V, V_DS=0V） | I_GSS | - | - | - | ±10 | uA |
| 栅源泄漏电流（V_GS=±10V, V_DS=0V） | I_GSS | - | - | - | ±1 | uA |
| 动态特性 | ||||||
| 总栅极电荷 | Q_g | V_DS=24V, I_D=20A, V_GS=10V | - | 15 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q_gs | - | 3.4 | - | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q_gd | - | 2.1 | - | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz | - | 923 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 442 | - | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 36 | - | - | pF |
| 栅极电阻 | R_g | f=1MHz | - | 1.6 | - | Ω |
| 开启延迟时间 | t_d(on) | V_DS=24V, I_D=20A, V_GS=10V, R_G=3Ω | - | 13 | - | ns |
| 开启上升时间 | t_r | - | 8 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 24 | - | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 23 | - | - | ns |
| 二极管特性 | ||||||
| 二极管正向电流（T_C=25°C） | I_S | - | - | - | 73 | A |
| 脉冲二极管正向电流 | I_SM | - | - | - | 292 | A |
| 二极管正向电压（I_S=20A, V_GS=0V） | V_SD | - | 0.8 | - | 1.1 | V |
| 反向恢复时间 | T_rr | V_GS=0V, I_S=20A, dI_S/dt=100A/us | - | 27 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Q_rr | - | 13 | - | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
