MOS管
LED车灯专用mos管-强茂PJD50N04-AU
更新时间 2024-10-11 15:55
阅读
一、产品概述
PJD11N06A-AU是一款由强茂生产的60V N沟道增强型MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）。
它专为LED车灯应用而设计，采用TO-252AA封装形式，具有高速开关、高dv/dt能力、低栅极电荷和低反向传输电容等特点。
这些特性使得PJD11N06A-AU强茂MOS管在LED车灯电路中能够有效提高能效、减少损耗，并提升整体的稳定性和可靠性。
强茂MOS管JD11N06A-AU还通过了AEC-Q101认证，确保了其在汽车电子领域的可靠性和耐久性。同时，它符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色环保的塑封材料，符合IEC 61249标准，体现了强茂对环保和可持续发展的承诺。
二、主要参数
以下是PJD11N06A-AU强茂MOS管的主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BV_DSS | V_GS=0V, I_D=250uA | 60 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250uA | 1 | 1.8 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS=10V, I_D=6A | - | 53 | 75 | mΩ |
| V_GS=4.5V, I_D=3A | - | 61 | 90 | mΩ | ||
| 零栅极电压漏电流 | I_DSS | V_DS=60V, V_GS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=+20V, V_DS=0V | - | - | +100 | nA |
| 动态特性 | ||||||
| 总栅极电荷 | Q_g | V_DS=48V, I_D=6A, V_GS=10V | - | 9.3 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q_gs | - | 2.2 | - | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q_gd | - | 1.9 | - | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=15V, V_GS=0V, f=1MHZ | - | 509 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 47 | - | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 23 | - | - | pF |
| 开关时间 | ||||||
| 开通延迟时间 | t_d(on) | V_DD=30V, I_D=1A, V_GS=10V, R_G=3.3Ω | - | 3.2 | - | ns |
| 开通上升时间 | t_r | - | 9.7 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 18.5 | - | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 6.4 | - | - | ns |
| 热特性 | ||||||
| 结到壳热阻 | R_θJC | - | 5 | - | - | °C/W |
| 结到环境热阻 | R_θJA | - | 62.5 | - | - | °C/W |
| 最大额定值 | ||||||
| 漏源电压 | V_DS | - | - | 60 | V | |
| 栅源电压 | V_GS | - | - | ±20 | V | |
| 连续漏极电流（T_C=25°C） | I_D | - | - | 11 | A | |
| 连续漏极电流（T_C=100°C） | I_D | - | - | 7 | A | |
| 脉冲漏极电流（T_C=25°C） | I_DM | - | - | 44 | A | |
| 功率耗散（T_C=25°C） | P_D | - | - | 30 | W | |
| 功率耗散（T_C=100°C） | P_D | - | - | 15 | W |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
