MOS管
PJW4N06A-AU强茂mos管-LED车灯专用MOSFET
更新时间 2024-10-11 15:55
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一、产品概述
PJW4N06A-AU是强茂公司生产的一款60V N沟道MOSFET。其SOT-223封装形式，便于在各种电路中进行集成和连接，满足多样化的应用需求。
PJW4N06A-AU不仅通过了AEC-Q101认证，还符合欧盟RoHS 2.0环保标准，采用绿色成型化合物，符合IEC 61249标准，展现了强茂在环保和产品质量方面的双重承诺。
二、主要参数
以下是PJW4N06A-AU的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | - | - | - | 60 | V |
| 栅源电压 | V GS | - | -20 | - | +20 | V |
| 连续漏电流（25℃） | I D | T A =25℃ | - | - | 4 | A |
| 连续漏电流（70℃） | I D | T A =70℃ | - | - | 3.2 | A |
| 脉冲漏电流 | I DM | 脉冲宽度<300us，占空比<2% | - | - | 8 | A |
| 功耗（25℃） | P D | T A =25℃ | - | - | 3.7 | W |
| 功耗（70℃） | P D | T A =70℃ | - | - | 2.6 | W |
| 导通电阻（V GS =10V，I D =3A） | R DS(on) | - | - | 85 | 100 | mΩ |
| 导通电阻（V GS =4.5V，I D =2A） | R DS(on) | - | - | 95 | 110 | mΩ |
| 零栅压漏电流 | I DSS | V DS =48V，V GS =0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | V GS =+20V，V DS =0V | - | - | +100 | nA |
| 总栅电荷 | Q g | V DS =48V，I D =3A，V GS =4.5V | - | 5.1 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q gs | - | - | 1.2 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q gd | - | - | 1.9 | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | V DS =15V，V GS =0V，f=1MHz | - | 509 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | - | 39 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | - | 26 | - | pF |
| 开启延迟时间 | td(on) | V DD =30V，I D =3A，V GS =10V，R G =3.3Ω | - | 1.6 | - | ns |
| 开启上升时间 | t r | - | - | 7.3 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 25 | - | ns |
| 关断下降时间 | t f | - | - | 14 | - | ns |
| 二极管最大连续漏源二极管正向电流 | I S | - | - | - | 4 | A |
| 二极管正向电压 | V SD | I S =1A，V GS =0V | - | 0.8 | 1.2 | V |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
