MOS管
强茂高压mos管-PJF60R900S
更新时间 2024-10-10 15:49
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一、产品概述
PJF60R900S是强茂电子推出的一款600V N沟道高压MOS管，采用ITO-220AB-F封装形式。
该产品专为高压、高频率应用而设计，具备高速开关特性、低栅极输入电阻和低输入电容，能够在各种复杂电路环境中保持高效稳定的性能。
PJF60R900S的主要特点包括：
- 高电压承受能力：能够承受高达600V的漏源电压，适用于高压电路环境。
- 低导通电阻：在栅极电压为10V、漏极电流为2.5A的条件下，导通电阻小于0.9Ω，有效降低功耗。
- 高速开关性能：具备快速的开关速度，适用于高频电路，提高系统响应速度。
- 环保绿色：采用绿色成型化合物，符合IEC 61249标准及欧盟RoHS 2.0指令要求，体现环保理念。
二、主要参数
PJF60R900S高压MOS管的主要参数详细如下：
| 参数类别 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BV DSS | V GS =0V, I D =250uA | 600 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS , I D =250uA | 2 | 3.6 | 4 | V |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS =10V, I D =2.5A | - | 0.75 | 0.9 | Ω |
| 零栅极电压漏电流 | I DSS | V DS =600V, V GS =0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | V GS =±25V, V DS =0V | - | - | ±100 | nA |
| 动态特性 | ||||||
| 总栅极电荷 | Q g | V DS =480V, I D =2.5A, V GS =10V | - | 14 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q gs | - | 2 | - | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q gd | - | 7 | - | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | V DS =480V, V GS =0V, f=1.0MHZ | - | 360 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 19 | - | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 11 | - | - | pF |
| 栅极电阻 | R g | f=1.0MHZ | - | 2.6 | - | Ω |
| 开通延迟时间 | td(on) | V DD =480V, I D =2.5A, V GS =10V, R G =25Ω | - | 15 | - | ns |
| 开通上升时间 | t r | - | 29 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 61 | - | - | ns |
| 关断下降时间 | t f | - | 31 | - | - | ns |
| 二极管特性 | ||||||
| 二极管正向电流 | I S | - | - | - | 4.5 | A |
| 二极管正向电压 | V SD | I S =5A, V GS =0V | - | 0.9 | 1.3 | V |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
