MOS管
强茂高压mos管-PJD60R900S
更新时间 2024-10-10 15:29
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一、产品概述
强茂PJD60R900S是一款600V N沟道高压MOS管，专为中压电力电子设备设计。
它采用先进的半导体工艺制造，具有高开关速度、低栅极输入电阻、低输入电容和栅电荷等显著特点。
这些特点使得PJD60R900S在DC-DC转换器、逆变器、UPS电源等应用场合中表现出色，能够有效提高设备的效率和稳定性。
二、主要参数
为了帮助您更全面地了解强茂PJD60R900S中压MOS管的性能，以下是以主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BV_DSS | V_GS=0V, I_D=250uA | 600 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250uA | 2 | 3.6 | 4 | V |
| 漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS=10V, I_D=2.5A | - | 0.75 | 0.9 | Ω |
| 零栅压漏电流 | I_DSS | V_DS=600V, V_GS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=±25V, V_DS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 动态特性 | ||||||
| 总栅电荷 | Q_g | V_DS=480V, I_D=2.5A, V_GS=10V | - | 14 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q_gs | - | 2 | - | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q_gd | - | 7 | - | - | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=480V, V_GS=0V, f=1.0MHZ | - | 360 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 19 | - | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 11 | - | - | pF |
| 栅电阻 | R_g | f=1.0MHZ | - | 2.6 | - | Ω |
| 开通延迟时间 | t_d(on) | V_DD=480V, I_D=2.5A, V_GS=10V, R_G=25Ω | - | 15 | - | ns |
| 开通上升时间 | t_r | - | 29 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 61 | - | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 31 | - | - | ns |
| 极限参数 | ||||||
| 漏源电压 | V_DS | - | - | - | 600 | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | -25 | - | 25 | V |
| 连续漏电流（T_C=25°C） | I_D | - | - | 4.5 | - | A |
| 连续漏电流（T_C=100°C） | I_D | - | - | 2.9 | - | A |
| 脉冲漏电流 | I_DM | T_C=25°C | - | - | 20 | A |
| 功率耗散（T_C=25°C） | P_D | - | - | 45 | - | W |
| 功率耗散（T_C=100°C） | P_D | - | - | 17 | - | W |
| 单脉冲雪崩能量 | E_AS | - | - | - | 120 | mJ |
| 结温和存储温度范围 | T_J, T_STG | - | -55 | - | 150 | °C |
| 热阻（结到壳） | R_θJC | - | - | 2.8 | - | °C/W |
| 热阻（结到环境） | R_θJA | - | - | 62.5 | - | °C/W |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
