MOS管
强茂中压mos管PSMN015N10NS2
更新时间 2024-09-29 11:00
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产品概述
PSMN015N10NS2是一款采用半导体工艺制造的100V N型沟道增强型MOSFET。
该产品具有极低的导通电阻（R DS(ON) < 1.5 mΩ at V GS = 10 V, I D = 100 A），高开关速度以及低反向传输电容，确保了高效的能量转换和优异的电气性能。
应用领域
PSMN015N10NS2凭借其出色的性能，在多个领域展现出了广泛的应用前景：
- 能源存储系统（ESS）：在太阳能电池板、电池管理系统等应用中，PSMN015N10NS2能够高效控制电流的通断，提高能源转换效率。
- 不间断电源（BBU）：为关键设备提供稳定电力保障，确保在市电中断时仍能正常运行。
- 电动交通工具（LEV）：在电动汽车、电动自行车等交通工具中，PSMN015N10NS2能够高效管理电池输出，提升续航能力。
- 电池充电系统（BSG）：在快速充电站、家用充电器等设备中，确保充电过程的安全与高效。
特征优势
- 低导通电阻：在V GS = 10 V, I D = 100 A的条件下，导通电阻低至1.5 mΩ，有效降低功率损耗。
- 高开关速度：快速响应，减少开关过程中的能量损失，提高系统效率。
- 低反向传输电容：减少信号干扰，提高电路的稳定性。
- 绿色环保：符合RoHS 2.0标准，采用绿色封装材料，符合现代环保要求。
- 高可靠性：经过严格测试，确保在各种应用环境中的稳定性和耐用性。
主要参数
以下是PSMN015N10NS2的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | - | 100 | - | - | V |
| 栅源电压 | V GS | - | ±20 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25℃） | I D | R θJC | 398 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100℃） | I D | R θJC | 281 | - | - | A |
| 连续漏极电流（25℃环境） | I D | R θJA | 34 | - | - | A |
| 连续漏极电流（70℃环境） | I D | R θJA | 28 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | I DM | R θJC | 1592 | - | - | A |
| 单脉冲雪崩电流 | I AS | - | 80 | - | - | A |
| 单脉冲雪崩能量 | E AS | - | 1152 | - | - | mJ |
| 功率损耗（25℃） | P D | R θJC | 500 | - | - | W |
| 功率损耗（100℃） | P D | R θJC | 250 | - | - | W |
| 功率损耗（25℃环境） | P D | R θJA | 3.8 | - | - | W |
| 功率损耗（70℃环境） | P D | R θJA | 2.6 | - | - | W |
| 漏源导通电阻（10V栅压） | R DS(on) | I D = 100 A | - | 1.2 | 1.5 | mΩ |
| 漏源导通电阻（6V栅压） | R DS(on) | I D = 50 A | - | 1.6 | 2.4 | mΩ |
| 零栅压漏电流 | I DSS | V DS = 100 V, V GS = 0 V | - | - | 5 | μA |
| 栅源漏电流 | I GSS | V GS = ±20 V, V DS = 0 V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅电荷 | Q g | V DS = 50 V, I D = 100 A, V GS = 10 V | - | 128 | 166 | nC |
| 输入电容 | C iss | V DS = 50 V, V GS = 0 V, f = 250 kHz | - | 9640 | 12500 | pF |
| 输出电容 | C oss | - | 3670 | - | 4770 | pF |
| 反向传输电容 | C rss | - | 39 | - | - | pF |
| 开启延迟时间 | t d(on) | V DD = 50 V, I D = 100 A, V GS = 10 V, R G = 1.8 Ω | - | 24.5 | - | ns |
| 上升时间 | t r | - | 8.9 | - | - | ns |
| 关断延迟时间 | t d(off) | - | 44.8 | - | - | ns |
| 下降时间 | t f | - | 10.2 | - | - | ns |
| 栅极电阻 | R g | f = 1.0 MHz | - | 0.5 | 1.0 | Ω |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
