MOS管
强茂中压mos管PJQ5968A-AU
更新时间 2024-09-29 11:00
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一、产品概述
PJQ5968A-AU是一款由强茂精心打造的60V双N沟道增强型MOSFET，采用DFN5060B-8L封装。
这款MOS管专为高效能、低损耗的应用场景设计，具有极低的导通电阻（R DS(ON)）和出色的开关特性。
PJQ5968A-AU不仅符合AEC-Q101汽车级认证标准，还严格遵循欧盟RoHS 2.0环保指令，采用绿色成型材料，体现了强茂对产品环保性能的承诺。
二、应用领域
PJQ5968A-AU中压MOS管凭借其优越的性能，在多个领域展现出广泛的应用前景：
- 汽车电子：在新能源汽车的电机驱动、电池管理系统（BMS）及车载充电机中，PJQ5968A-AU能够提供高效的电能转换和精确的电流控制，确保汽车系统的稳定运行。
- 工业控制：在工业自动化、机器人控制及变频器等领域，该MOS管能够承担高频率的开关动作，实现能量的精准调节，提高系统效率。
- 电源管理：在DC-DC转换器、适配器及LED驱动电源等应用中，PJQ5968A-AU的低导通电阻有助于减少能耗，提升整体能效。
- 消费电子：在智能手机、平板电脑及笔记本电脑等消费电子产品的快充电路中，该MOS管能够确保快速且安全的充电过程。
三、特征优势
PJQ5968A-AU中压MOS管之所以能在众多产品中脱颖而出，得益于其以下显著优势：
- 高性能：PJQ5968A-AU具有极低的导通电阻，即使在高温环境下也能保持优异的电气性能，有效降低系统能耗。
- 高可靠性：通过严格的AEC-Q101认证，确保产品在高应力环境下仍能稳定工作，提高系统的整体可靠性。
- 易于驱动：逻辑电平驱动设计，使得该MOS管能够轻松与微控制器等数字电路接口，简化系统设计。
- 环保节能：采用绿色成型材料，符合RoHS 2.0标准，有助于减少电子废弃物对环境的污染。
四、主要参数
以下是PJQ5968A-AU中压MOS管的主要参数：
| 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | 60 | V |
| 栅源电压 | V GS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（T C =25°C） | I D | 36 | A |
| 连续漏极电流（T C =100°C） | I D | 26 | A |
| 脉冲漏极电流（T C =25°C） | I DM | 123 | A |
| 功率损耗（T C =25°C） | P D | 37 | W |
| 功率损耗（T C =100°C） | P D | 18 | W |
| 漏源通态电阻（V GS =10V, I D =10A） | R DS(on) | 11.2-14 | mΩ |
| 漏源通态电阻（V GS =4.5V, I D =6A） | R DS(on) | 19.4-25 | mΩ |
| 栅阈值电压 | V GS(th) | 1.5-3 | V |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | - | ≤1 µA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | - | ≤±100nA |
| 总栅极电荷（V DS =30V, I D =10A, V GS =10V） | Q g | 16-21 | nC |
| 输入电容（V DS =30V, V GS =0V, f=1MHz） | Ciss | 800-1120 | pF |
| 输出电容 | Coss | 273-410 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | 28 | pF |
| 栅极电阻（f=1MHz） | R g | 1.3 | Ω |
| 开启延迟时间（V DS =30V, I D =10A, V GS =10V, R G =3Ω） | td(on) | 6.5 | ns |
| 开启上升时间 | t r | 19 | ns |
| 关闭延迟时间 | td(off) | 15 | ns |
| 关闭下降时间 | t f | 15 | ns |
| 二极管正向电流（T C =25°C） | I S | 36 | A |
| 脉冲二极管正向电流 | I SM | 123 | A |
| 二极管正向电压（I S =20A, V GS =0V） | V SD | 0.9-1.3 | V |
| 反向恢复时间（V DD =30V, V GS =0V, I S =20A, dI S /dt=100A/us） | Trr | 16 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 5 | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
