MOS管
强茂中压mos管PJQ5594-AU
更新时间 2024-09-29 11:00
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一、产品概述
PJQ5594-AU是一款由强茂生产的150V N-Channel增强型MOSFET，采用DFN5060-8L封装形式。
该MOS管具备出色的电气性能和热特性，能够承受高电压和大电流，适用于各种中压电路需求。
PJQ5594-AU不仅通过了AEC-Q101认证，还符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，体现了强茂对产品环保性能的重视。
二、应用领域
PJQ5594-AU中压MOS管因其高性能和稳定性，在多个领域得到广泛应用：
- 汽车电子：在汽车电子系统中，PJQ5594-AU可用于电池管理系统、电机驱动控制等关键部位，提供可靠的电流控制和电压调节。
- 工业控制：在工业控制领域，该MOS管可用于自动化设备的开关控制、电源管理等环节，提高设备的运行效率和稳定性。
- 电源管理：在电源管理系统中，PJQ5594-AU可用于DC-DC转换器、逆变器、整流器等设备，实现高效的能量转换和调节。
- 通信设备：在通信设备中，该MOS管可用于信号放大、电源供应等部分，确保通信信号的稳定和清晰。
三、特征优势
PJQ5594-AU中压MOS管凭借其独特的优势，在市场上占据了一席之地：
- 高性能：该MOS管具有低导通电阻（R DS(ON)）和高电流承载能力，能够在高负载下保持稳定的性能。
- 高可靠性：PJQ5594-AU通过了严格的测试和认证，具备出色的稳定性和可靠性，适用于各种复杂环境。
- 安全性：产品符合多项国际安全标准，确保在使用过程中的安全性。
- 易于集成：DFN5060-8L封装形式使得PJQ5594-AU易于与其他元件集成，方便电路设计和生产。
四、主要参数
以下是PJQ5594-AU中压MOS管的主要参数：
| 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | 150 | V |
| 栅源电压 | V GS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（T C =25°C） | I D | 25 | A |
| 连续漏极电流（T C =100°C） | I D | 18 | A |
| 脉冲漏极电流（T C =25°C） | I DM | 52 | A |
| 功率损耗（T C =25°C） | P D | 79 | W |
| 功率损耗（T C =100°C） | P D | 40 | W |
| 漏源通态电阻（V GS =10V, I D =10A） | R DS(on) | 39-49 | mΩ |
| 漏源通态电阻（V GS =7V, I D =6A） | R DS(on) | 41-53 | mΩ |
| 栅阈值电压 | V GS(th) | 2-4 | V |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | - | ≤1 µA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | - | ≤±100nA |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
