MOS管
强茂中压mos管PJQ5592-AU
更新时间 2024-09-27 11:00
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一、产品概述
PJQ5592-AU是强茂公司精心打造的一款150V N沟道增强型MOSFET，它采用先进的DFN5060-8L封装技术，不仅实现了元件的小型化，还确保了卓越的性能表现。
这款MOS管具备低导通电阻（R_DS(ON)）特性，在V_GS=10V、I_D=20A的条件下，导通电阻低于21mΩ，有效降低了能量损耗，提升了系统的工作效率。此外，PJQ5592-AU还通过了AEC-Q101认证，确保了其在汽车电子等领域的可靠应用。
二、应用领域
PJQ5592-AU MOS管凭借其优异的性能，在多个领域展现出了广泛的应用前景：
- 汽车电子：在汽车电子控制系统中，PJQ5592-AU可用于电池管理、电机驱动等关键环节，其高可靠性和低损耗特性有助于提升整车的性能和燃油效率。
- 工业控制：在工业自动化设备中，PJQ5592-AU可用于变频器、逆变器等电力转换设备，确保高效、稳定的电力供应和控制。
- 电源管理：在电源管理系统中，PJQ5592-AU可用于开关电源、UPS不间断电源等场合，提供可靠的电力保护和转换功能。
- 消费电子：在智能手机、平板电脑等消费电子设备中，PJQ5592-AU可用于快速充电电路，提高充电效率，缩短充电时间。
三、特征优势
PJQ5592-AU MOS管具备以下显著特征优势：
- 高效能：低导通电阻和出色的电力转换效率，使得PJQ5592-AU在各种应用场景中都能表现出色。
- 高可靠性：通过AEC-Q101认证，确保了在汽车电子等领域的长期稳定运行，降低了故障率。
- 绿色环保：符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，体现了强茂公司对环保责任的担当。
- 易于集成：DFN5060-8L封装技术使得PJQ5592-AU易于与其他电子元件集成，降低了设计难度和制造成本。
四、主要参数
以下是PJQ5592-AU MOS管的主要参数：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | 150 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | -20 | - | 20 | V |
| 连续漏极电流（T_C=25°C） | I_D | 42 | - | - | A |
| 连续漏极电流（T_C=100°C） | I_D | - | - | 30 | A |
| 脉冲漏极电流（T_C=25°C） | I_DM | 110 | - | - | A |
| 功耗（T_C=25°C） | P_D | 94 | - | - | W |
| 功耗（T_C=100°C） | P_D | - | - | 47 | W |
| 导通电阻（V_GS=10V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | 17 | 21 | mΩ |
| 导通电阻（V_GS=7V, I_D=10A） | R_DS(on) | - | 20 | 27 | mΩ |
| 栅阈值电压 | V_GS(th) | 2 | 3 | 4 | V |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | - | - | ±100 | nA |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
