MOS管
强茂中压mos管PJQ5590-AU
更新时间 2024-09-27 11:00
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一、产品概述
PJQ5590-AU是一款由强茂公司精心研发的150V N沟道增强型MOSFET，它采用了先进的DFN5060-8L封装技术，确保了元件的小型化与高性能。
该MOS管具有极低的导通电阻（R_DS(ON)），在V_GS=10V、I_D=20A的条件下，导通电阻小于17mΩ，有效降低了功耗，提高了系统效率。同时，PJQ5590-AU还通过了AEC-Q101认证，确保了其在汽车电子等领域的可靠应用。
二、应用领域
PJQ5590-AU MOS管凭借其出色的性能，广泛应用于多个领域：
- 汽车电子：在汽车电子系统中，PJQ5590-AU可用于电池管理系统、电机驱动等关键部位，其高可靠性和低功耗特性有助于提升整车的性能和安全性。
- 工业控制：在工业控制领域，PJQ5590-AU可用于变频器、逆变器等设备中，实现高效、稳定的电力转换与控制。
- 电源管理：在电源管理系统中，PJQ5590-AU可用于开关电源、UPS等场合，提供高效、可靠的电力供应。
- 消费电子：在消费电子领域，PJQ5590-AU可用于智能手机、平板电脑等设备的快充电路中，提高充电效率，缩短充电时间。
三、特征优势
PJQ5590-AU MOS管具有以下显著特征优势：
- 高性能：极低的导通电阻和高效的电力转换能力，使得PJQ5590-AU在各类应用中都能表现出色。
- 高可靠性：通过AEC-Q101认证，确保了在汽车电子等领域的长期稳定运行。
- 环保节能：符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，符合环保要求。
- 易于集成：DFN5060-8L封装技术使得PJQ5590-AU易于集成到各类电子设备中，降低了设计难度和成本。
四、主要参数
以下是PJQ5590-AU MOS管的主要参数：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | 150 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | -20 | - | 20 | V |
| 连续漏极电流（T_C=25°C） | I_D | 59 | - | - | A |
| 连续漏极电流（T_C=100°C） | I_D | - | - | 42 | A |
| 脉冲漏极电流（T_C=25°C） | I_DM | 160 | - | - | A |
| 功耗（T_C=25°C） | P_D | 150 | - | - | W |
| 功耗（T_C=100°C） | P_D | - | - | 75 | W |
| 导通电阻（V_GS=10V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | 13.2 | 17 | mΩ |
| 导通电阻（V_GS=7V, I_D=10A） | R_DS(on) | - | 14 | 19 | mΩ |
| 栅阈值电压 | V_GS(th) | 2 | 3 | 4 | V |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | - | - | ±100 | nA |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
