MOS管
强茂中压mos管PJQ5568A-AU
产品概述
强茂电子推出的PJQ5568A-AU是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为各种高要求电子应用设计。
该型号采用DFN5060-8L封装，拥有出色的电气特性和热性能，能够在多种工作条件下提供稳定可靠的性能。PJQ5568A-AU不仅符合AEC-Q101标准，还符合欧盟RoHS 2.0指令，确保环保和高质量。
应用领域
PJQ5568A-AU MOS管因其卓越的电气性能和可靠性，在多个领域得到广泛应用：
汽车电子：汽车电子系统对元件的耐高温、高电流承载能力和稳定性要求极高。PJQ5568A-AU能够承受高达60V的漏源电压和40A的连续漏极电流，非常适合于汽车电源管理、电机控制和电池管理系统。
工业控制：在工业自动化和控制系统中，MOS管常用于开关、放大和逆变电路。PJQ5568A-AU的低导通电阻（RDS(ON)）和快速开关特性，使其在这些应用中能够高效工作，减少能量损耗。
通信设备：现代通信设备需要高性能的电源管理方案来确保信号传输的稳定性和效率。PJQ5568A-AU的高频率响应和低栅极电荷，使其适用于高速开关和电源转换电路，提升通信设备的整体性能。
消费电子：在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中，PJQ5568A-AU可用于电池保护、充电控制和电源管理，帮助延长设备续航时间和提高充电效率。
特征优势
高性能：PJQ5568A-AU具有低导通电阻（RDS(ON)），在V GS @10V, I D @20A条件下仅为10.6至13.5mΩ，这有助于减少能量损耗，提高系统效率。
高可靠性：符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子等高可靠性要求的场合。同时，宽温度范围（-55°C至175°C）使其能够在恶劣环境下稳定工作。
环保：采用无铅封装，符合欧盟RoHS 2.0指令，对环境和人体健康无害。
快速开关：低栅极电荷和快速开关特性，使得PJQ5568A-AU在高频应用中表现出色，减少开关损耗。
主要参数
以下是PJQ5568A-AU MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | - | 60 | - | - | V |
| 栅源电压 | V GS | - | - | ±20 | - | V |
| 连续漏极电流（25°C） | I D | T C =25°C | - | 40 | - | A |
| 连续漏极电流（100°C） | I D | T C =100°C | - | 28 | - | A |
| 脉冲漏极电流 | I DM | T C =25°C, 脉冲宽度<100μs, 占空比<2% | - | - | 136 | A |
| 功率耗散（25°C） | P D | T C =25°C | - | - | 43 | W |
| 功率耗散（100°C） | P D | T C =100°C | - | - | 21 | W |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS =10V, I D =20A | - | 10.6 | 13.5 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS =4.5V, I D =10A | - | 18.8 | 24 | mΩ |
| 栅阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS, I D =250μA | 1.5 | 2.1 | 3 | V |
| 封装类型 | - | - | - | - | - | DFN5060-8L |
| 重量 | - | - | - | - | 0.08 | 克 |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
