MOS管
强茂中压mos管PJQ5564A-AU
更新时间 2024-09-26 11:00
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一、产品概述
PJQ5564A-AU是强茂公司推出的一款60V N-Channel增强型MOSFET，采用DFN5060-8L封装，具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热稳定性。
该产品通过AEC-Q101认证，符合欧盟RoHS 2.0标准，并采用绿色模塑化合物，符合环保要求。
二、应用领域
PJQ5564A-AU MOS管广泛应用于汽车电子、电源管理、工业控制、通信设备等领域。其高性能和可靠性使得在电动汽车充电桩、太阳能逆变器、电机驱动控制等应用中表现出色。
三、特征优势
- 低导通电阻：有效降低功耗，提高能源利用效率。
- 高开关速度：减少开关损耗，提高系统效率。
- 高可靠性：通过AEC-Q101认证，确保在恶劣环境下的稳定性。
- 绿色环保：符合欧盟RoHS 2.0标准，满足环保要求。
四、主要参数
以下是PJQ5564A-AU MOS管的主要参数表格：
| 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压（V DS） | - | 60 | - | - | V |
| 栅源电压（V GS） | - | ±20 | - | - | V |
| 连续漏极电流（I D, T C =25°C） | - | 59 | - | - | A |
| 连续漏极电流（I D, T C =100°C） | - | 38 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流（I DM, T C =25°C） | 脉冲宽度<100us, 占空比<2% | 216 | - | - | A |
| 功率耗散（P D, T C =25°C） | - | 50 | - | - | W |
| 功率耗散（P D, T C =100°C） | - | 25 | - | - | W |
| 连续漏极电流（I D, T A =25°C） | - | 14 | - | - | A |
| 连续漏极电流（I D, T A =70°C） | - | 11.7 | - | - | A |
| 功率耗散（P D, T A =25°C） | - | 3.3 | - | - | W |
| 功率耗散（P D, T A =70°C） | - | 2.3 | - | - | W |
| 单脉冲雪崩电流（I AS） | - | 20 | - | - | A |
| 单脉冲雪崩能量（E AS） | - | 55 | - | - | mJ |
| 结温和存储温度范围（T J, T STG） | - | -55 | - | 175 | °C |
| 结到壳热阻（R θJC） | - | 2.5 | - | - | °C/W |
| 结到环境热阻（R θJA） | - | 45 | - | - | °C/W |
| 漏源导通电阻（R DS(on), V GS =10V, I D =20A） | - | - | 6.3 | 7.9 | mΩ |
| 漏源导通电阻（R DS(on), V GS =4.5V, I D =10A） | - | - | 11.1 | 14.5 | mΩ |
| 零栅压漏极电流（I DSS） | V DS =60V, V GS =0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流（I GSS） | V GS =±20V, V DS =0V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷（Q g） | V DS =30V, I D =20A, V GS =10V | - | 27 | 35 | nC |
| 输入电容（Ciss） | V DS =30V, V GS =0V, f=1MHz | - | 1454 | 1890 | pF |
| 输出电容（Coss） | - | - | 616 | 862 | pF |
| 反向传输电容（Crss） | - | - | 54 | - | pF |
| 栅极电阻（R g） | f=1MHz | - | 1 | - | Ω |
| 开通延迟时间（td(on)） | V DS =30V, I D =20A, V GS =10V, R G =3Ω | - | 7.8 | - | ns |
| 开通上升时间（t r） | - | - | 28 | - | ns |
| 关断延迟时间（td(off)） | - | - | 22 | - | ns |
| 关断下降时间（t f） | - | - | 50 | - | ns |
| 二极管正向电流（I S, T C =25°C） | - | - | - | 59 | A |
| 脉冲二极管正向电流（I SM） | - | - | - | 216 | A |
| 二极管正向电压（V SD） | I S =20A, V GS =0V | - | 0.8 | 1.3 | V |
| 反向恢复时间（Trr） | V DD =30V, V GS =0V, I S =20A, dI S /dt=100A/us | - | 24 | - | ns |
| 反向恢复电荷（Qrr） | - | - | 9.2 | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
