MOS管
强茂中压mos管PJQ5562A
更新时间 2024-09-25 11:00
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一、产品概述
PJQ5562A是强茂公司生产的一款60V N沟道增强型MOSFET，采用DFN5060-8L封装形式，额定电流高达83A。
该MOS管不仅具备高电流承载能力和低导通内阻，还拥有出色的热稳定性和可靠性，能够满足各种复杂应用场景的需求。
二、应用领域
PJQ5562A MOS管的应用领域广泛，包括但不限于电动汽车、工业自动化、电源管理、通信设备以及消费电子等领域。其高效能的特点使得在电池管理系统、电机驱动、开关电源等关键应用中能够发挥重要作用，提升设备整体性能和稳定性。
三、特征优势
- 高电流承载能力：PJQ5562A的额定电流高达83A，能够满足高电流应用场景的需求。
- 低导通内阻：在V_GS=10V、I_D=20A的条件下，导通内阻仅为5.9mΩ以下，有助于减少能量损耗，提高系统效率。
- 出色的热稳定性：热阻（R_θJC）为1.8°C/W，能够有效降低元件温度，确保长期稳定运行。
- 环保节能：符合欧盟RoHS 2.0环保标准，采用绿色环保材料制造，助力可持续发展。
四、主要参数
以下表格详细列出了PJQ5562A的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | - | 60 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | -20 | - | 20 | V |
| 连续漏极电流（T_C=25°C） | I_D | - | - | - | 83 | A |
| 连续漏极电流（T_C=100°C） | I_D | - | - | - | 53 | A |
| 脉冲漏极电流（T_C=25°C） | I_DM | - | - | - | 332 | A |
| 功耗（T_C=25°C） | P_D | - | - | - | 69 | W |
| 功耗（T_C=100°C） | P_D | - | - | - | 28 | W |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250uA | 1.5 | 2.1 | 3 | V |
| 漏源导通内阻 | R_DS(on) | V_GS=10V, I_D=20A | - | 4.7 | 5.9 | mΩ |
| 漏源导通内阻 | R_DS(on) | V_GS=4.5V, I_D=10A | - | 7.3 | 9.5 | mΩ |
| 零栅极电压漏极电流 | I_DSS | V_DS=60V, V_GS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=±20V, V_DS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷 | Q_g | V_DS=30V, I_D=20A, V_GS=10V | - | 40 | 52 | nC |
| 输入电容 | C_iss | V_DS=30V, V_GS=0V, f=1MHz | - | 2039 | 2650 | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | - | 695 | 973 | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | - | 91 | - | pF |
| 栅极电阻 | R_g | f=1MHz | - | 0.88 | - | Ω |
| 开启延迟时间 | t_d(on) | V_DS=30V, I_D=20A, V_GS=10V, R_G=3Ω | - | 9 | - | ns |
| 开启上升时间 | t_r | - | - | 35 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | - | 29 | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | - | 59 | - | ns |
| 二极管正向电流 | I_S | T_C=25°C | - | - | 83 | A |
| 脉冲二极管正向电流 | I_SM | - | - | - | 332 | A |
| 二极管正向电压 | V_SD | I_S=20A, V_GS=0V | - | 0.8 | 1.3 | V |
| 反向恢复时间 | T_rr | V_DD=30V, V_GS=0V, I_S=20A, dI_S/dt=100A/us | - | 37 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Q_rr | - | - | 18 | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
