MOS管
强茂中压mos管PJQ5560A-AU
更新时间 2024-09-25 11:00
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一、产品概述
PJQ5560A-AU是强茂公司精心打造的一款N沟道增强型MOSFET，额定电压为60V，额定电流高达190A。
它采用DFN5060-8L封装形式，不仅具备出色的电气性能，还拥有卓越的热稳定性和可靠性。
此外，PJQ5560A-AU还通过了AEC-Q101认证，并符合欧盟RoHS 2.0环保标准，体现了强茂公司对高品质和环保的双重承诺。
二、应用领域
PJQ5560A-AU MOS管的应用领域十分广泛。在电动汽车、工业自动化、通信设备、电源管理等领域，它都能发挥出色的电流控制和能量转换能力，助力设备实现高效、稳定的运行。同时，其高电流承载能力和低导通内阻的特点，也使得它在电池保护、电机驱动等场景中表现出色。
三、特征优势
- 高电流承载能力：PJQ5560A-AU的额定电流高达190A，能够满足大电流应用场景的需求。
- 低导通内阻：在V_GS=10V、I_D=20A的条件下，其导通内阻仅为2.6mΩ以下，有助于减少能量损耗，提高系统效率。
- 出色的热稳定性：热阻（R_θJC）仅为0.8°C/W，能够有效降低元件温度，延长使用寿命。
- 环保节能：采用无铅环保材料制造，符合欧盟RoHS 2.0标准，更加环保和可持续。
四、主要参数
以下表格详细列出了PJQ5560A-AU的主要参数。
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | - | 60 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | -20 | - | 20 | V |
| 连续漏极电流（T_C=25°C） | I_D | - | - | - | 190 | A |
| 连续漏极电流（T_C=100°C） | I_D | - | - | - | 134 | A |
| 脉冲漏极电流（T_C=25°C） | I_DM | - | - | - | 630 | A |
| 功耗（T_C=25°C） | P_D | - | - | - | 188 | W |
| 功耗（T_C=100°C） | P_D | - | - | - | 94 | W |
| 栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250uA | 1.5 | 2.1 | 3 | V |
| 漏源导通内阻 | R_DS(on) | V_GS=10V, I_D=20A | - | 2.1 | 2.6 | mΩ |
| 漏源导通内阻 | R_DS(on) | V_GS=4.5V, I_D=20A | - | 3.4 | 4.4 | mΩ |
| 零栅极电压漏极电流 | I_DSS | V_DS=60V, V_GS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | V_GS=±20V, V_DS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷 | Q_g | V_DS=30V, I_D=20A, V_GS=10V | - | 82 |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
