您好!欢迎访问广州市超毅电子有限公司官方网站!
台湾亿光代理商,连续 25 年代理亿光产品
代理销售台湾亿光、强茂、九木、宏发继电器等产品
联系方式
18922759736
020-84800918
您当前的位置: 超毅电子 > 强茂产品 > MOS管

MOS管

强茂中压mos管PJQ4594P-AU

更新时间  2024-09-25 11:00 阅读

一、产品概述

PJQ4594P-AU是强茂公司推出的一款高性能N沟道增强型MOSFET,额定电压高达150V,额定电流可达18A。

mos管.jpg

其采用DFN3333-8L封装形式,具有出色的热稳定性和电气性能,能够满足多种复杂电路的需求。

此外,PJQ4594P-AU还符合AEC-Q101标准,并采用无铅环保材料制造,符合欧盟RoHS 2.0标准,体现了强茂公司对环保和可持续发展的承诺。

二、应用领域

PJQ4594P-AUMOS管凭借其卓越的性能,广泛应用于各种电子设备中。在电动汽车、混合动力汽车、工业自动化、通信设备等领域,PJQ4594P-AU能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换,帮助设备实现更高效的运行。此外,在电源管理、电机驱动和电池保护等方面,PJQ4594P-AU也展现出了其独特的优势。

三、特征优势

  1. 低内阻:PJQ4594P-AU的导通内阻(R_DS(ON))在V_GS=10V、I_D=10A条件下低至50mΩ以下,有助于减少能量损耗,提高系统效率。
  2. 高电压承受能力:额定电压高达150V,适用于高电压应用场景。
  3. 出色的热稳定性:热阻(R_θJC)仅为3.7°C/W,有助于降低元件温度,延长使用寿命。
  4. 环保材料:采用无铅环保材料制造,符合欧盟RoHS 2.0标准,更加环保和可持续。

四、主要参数

参数名称符号条件最小值典型值最大值单位
漏源电压V_DS-150--V
栅源电压V_GS--20-20V
连续漏极电流(T_C=25°C)I_D---18A
连续漏极电流(T_C=100°C)I_D---13A
脉冲漏极电流(T_C=25°C)I_DM---50A
功耗(T_C=25°C)P_D---50W
功耗(T_C=100°C)P_D---25W
栅极阈值电压V_GS(th)V_DS=V_GS, I_D=250uA234V
漏源导通内阻R_DS(on)V_GS=10V, I_D=10A-4050
漏源导通内阻R_DS(on)V_GS=7V, I_D=6A-4255
零栅极电压漏极电流I_DSSV_DS=150V, V_GS=0V--1μA
栅源泄漏电流I_GSSV_GS=±20V, V_DS=0V--±100nA

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商。