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MOS管

强茂中压mos管PJQ4564AP-AU

更新时间  2024-09-24 11:00 阅读

一、产品概述

PJQ4564AP-AU是强茂公司推出的一款专为中压应用设计的60V N沟道增强型MOSFET,采用DFN3333-8L封装形式。

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该产品不仅符合AEC-Q101汽车电子质量认证标准,还严格遵循欧盟RoHS 2.0环保指令,采用绿色成型化合物,体现了强茂公司对环保与可持续发展的承诺。

PJQ4564AP-AU以其低内阻、高电流承载能力,为各种中压应用提供了高效、稳定的解决方案。

二、应用领域

PJQ4564AP-AU中压MOS管凭借其卓越的性能,广泛应用于以下领域:

  • 汽车电子:在电动车控制器、车载充电机等汽车电子系统中,PJQ4564AP-AU能够承受高电压和大电流的冲击,确保系统的稳定运行。
  • 工业控制:在工业自动化控制系统中,PJQ4564AP-AU的高效能表现有助于提升系统的整体效率,降低能耗。
  • 电源管理:在DC-DC转换器、UPS不间断电源等电源管理系统中,PJQ4564AP-AU提供可靠的电流控制,保障电源的稳定输出。
  • 新能源:在太阳能逆变器、风力发电变流器等新能源领域,PJQ4564AP-AU的高效能与高可靠性成为不可或缺的关键元件。

三、特征优势

PJQ4564AP-AU中压MOS管具有以下几大特征优势:

  • 高性能:在V GS @10V,I D @10A的条件下,内阻低至8.4mΩ,确保了高效、低功耗的电流传输。
  • 高电流承载能力:连续漏极电流高达54A,脉冲漏极电流更是达到216A,满足各种高电流应用场景的需求。
  • 卓越的热管理:低热阻设计(R θJC = 3.1°C/W),有助于快速散发工作过程中产生的热量,确保MOS管在高温环境下的稳定运行。
  • 环保节能:符合欧盟RoHS 2.0环保标准,采用绿色成型化合物,降低对环境的负面影响。

四、主要参数

以下是PJQ4564AP-AU中压MOS管的主要参数:

参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏源电压V DS---60V
栅源电压V GS--20-20V
连续漏极电流(25℃)I DT C =25℃--54A
连续漏极电流(100℃)I DT C =100℃--38A
脉冲漏极电流(25℃)I DMT C =25℃,脉宽<100us,占空比<2%--216A
功耗(25℃)P DT C =25℃--48W
功耗(100℃)P DT C =100℃--24W
栅极阈值电压V GS(th)V DS =V GS , I D =250uA1.52.23V
漏源导通电阻R DS(on)V GS =10V, I D =10A-6.78.4


V GS =4.5V, I D =6A-11.515
零栅压漏极电流I DSSV DS =60V, V GS =0V--1μA
栅源泄漏电流I GSSV GS =±20V, V DS =0V--±100nA
总栅极电荷Q gV DS =30V, I D =10A, V GS =10V-2735nC
输入电容C issV DS =30V, V GS =0V, f=1MHz-14541890pF
输出电容C oss--616862pF
反向传输电容C rss--54-pF
栅极电阻R gf=1MHz-1-Ω
开通延迟时间t d(on)V DS =30V, I D =10A, V GS =10V, R G =3Ω-7.8-ns
开通上升时间t r--28-ns
关断延迟时间t d(off)--22-ns
关断下降时间t f--50-ns
二极管正向电流I ST C =25℃--54A
脉冲二极管正向电流I SM--216-A
二极管正向电压V SDI S =20A, V GS =0V-0.81.3V
反向恢复时间T rrV DD =30V, V GS =0V, I S =20A, dI S /dt=100A/us-24-ns
反向恢复电荷Q rr--9.2-nC

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


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