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MOS管

强茂中压mos管PJQ2568A

更新时间  2024-09-24 11:00 阅读

一、产品概述

PJQ2568A是一款由强茂公司精心研发的60V N沟道增强型MOSFET,其封装形式为DFN2020B-6L。

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该MOS管采用了先进的生产工艺和材料,确保了产品的卓越性能和长期可靠性。

PJQ2568A不仅符合欧盟RoHS 2.0环保标准,还采用了符合IEC 61249标准的绿色成型化合物,使其更加环保、安全。

二、应用领域

PJQ2568A MOS管凭借其优异的电气特性和热特性,在多个领域得到了广泛应用。包括但不限于:

  • 电源管理:如DC-DC转换器、电池管理系统等,PJQ2568A的高效率和低功耗使其成为理想的选择。
  • 电机驱动:在电机控制电路中,PJQ2568A能够提供稳定的电流输出,确保电机的平稳运行。
  • 汽车电子:如电动车控制器、车载充电机等,PJQ2568A的耐高温和耐高压特性使其适用于复杂多变的汽车环境。
  • 消费电子:如智能手机、平板电脑等设备的电源电路中,PJQ2568A的小巧封装和高效能有助于提升设备的整体性能。

三、特征优势

PJQ2568A MOS管具有以下显著特征优势:

  • 低内阻:在V GS @10V,I D @10A的条件下,内阻小于16mΩ,有助于降低功耗,提高效率。
  • 高可靠性:采用先进的生产工艺和材料,确保了产品的长期稳定性和可靠性。
  • 环保节能:符合欧盟RoHS 2.0环保标准,绿色成型化合物使产品更加环保、安全。
  • 小巧封装:DFN2020B-6L封装形式,体积小巧,便于集成和安装。

四、主要参数

以下是PJQ2568A MOS管的主要参数:


参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏源电压V DS---60V
栅源电压V GS--20-20V
连续漏极电流(25℃)I DT C =25℃--17A
连续漏极电流(100℃)I DT C =100℃--11A
脉冲漏极电流(25℃)I DMT C =25℃,脉宽<300us,占空比<2%--68A
功耗(25℃)P DT C =25℃--9.6W
功耗(100℃)P DT C =100℃--3.8W
栅极阈值电压V GS(th)V DS =V GS , I D =250uA1.52.13V
漏源导通电阻R DS(on)V GS =10V, I D =10A-1316


V GS =4.5V, I D =6A-21.428
零栅压漏极电流I DSSV DS =60V, V GS =0V--1uA
栅源泄漏电流I GSSV GS =±20V, V DS =0V--±100nA
总栅极电荷Q gV DS =30V, I D =10A, V GS =10V-1

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


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