MOS管
强茂中压mos管PJQ2568A
更新时间 2024-09-24 11:00
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一、产品概述
PJQ2568A是一款由强茂公司精心研发的60V N沟道增强型MOSFET,其封装形式为DFN2020B-6L。
该MOS管采用了先进的生产工艺和材料,确保了产品的卓越性能和长期可靠性。
PJQ2568A不仅符合欧盟RoHS 2.0环保标准,还采用了符合IEC 61249标准的绿色成型化合物,使其更加环保、安全。
二、应用领域
PJQ2568A MOS管凭借其优异的电气特性和热特性,在多个领域得到了广泛应用。包括但不限于:
- 电源管理:如DC-DC转换器、电池管理系统等,PJQ2568A的高效率和低功耗使其成为理想的选择。
- 电机驱动:在电机控制电路中,PJQ2568A能够提供稳定的电流输出,确保电机的平稳运行。
- 汽车电子:如电动车控制器、车载充电机等,PJQ2568A的耐高温和耐高压特性使其适用于复杂多变的汽车环境。
- 消费电子:如智能手机、平板电脑等设备的电源电路中,PJQ2568A的小巧封装和高效能有助于提升设备的整体性能。
三、特征优势
PJQ2568A MOS管具有以下显著特征优势:
- 低内阻:在V GS @10V,I D @10A的条件下,内阻小于16mΩ,有助于降低功耗,提高效率。
- 高可靠性:采用先进的生产工艺和材料,确保了产品的长期稳定性和可靠性。
- 环保节能:符合欧盟RoHS 2.0环保标准,绿色成型化合物使产品更加环保、安全。
- 小巧封装:DFN2020B-6L封装形式,体积小巧,便于集成和安装。
四、主要参数
以下是PJQ2568A MOS管的主要参数:
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
漏源电压 | V DS | - | - | - | 60 | V |
栅源电压 | V GS | - | -20 | - | 20 | V |
连续漏极电流(25℃) | I D | T C =25℃ | - | - | 17 | A |
连续漏极电流(100℃) | I D | T C =100℃ | - | - | 11 | A |
脉冲漏极电流(25℃) | I DM | T C =25℃,脉宽<300us,占空比<2% | - | - | 68 | A |
功耗(25℃) | P D | T C =25℃ | - | - | 9.6 | W |
功耗(100℃) | P D | T C =100℃ | - | - | 3.8 | W |
栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS , I D =250uA | 1.5 | 2.1 | 3 | V |
漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS =10V, I D =10A | - | 13 | 16 | mΩ |
V GS =4.5V, I D =6A | - | 21.4 | 28 | mΩ | ||
零栅压漏极电流 | I DSS | V DS =60V, V GS =0V | - | - | 1 | uA |
栅源泄漏电流 | I GSS | V GS =±20V, V DS =0V | - | - | ±100 | nA |
总栅极电荷 | Q g | V DS =30V, I D =10A, V GS =10V | - | 1 |
请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商。