MOS管
强茂中压mos管PJQ2566A
更新时间 2024-09-24 11:00
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产品概述
PJQ2566A是强茂公司生产的一款60V N沟道增强型MOSFET，采用DFN2020B-6L封装。
该器件专为需要高效能和稳定控制的电路而设计，以其卓越的电气特性和可靠的性能，在业界赢得了良好的口碑。
应用领域
PJQ2566A MOS管因其独特的设计和性能优势，被广泛应用于各类电子设备和系统中。
特别是在DC-DC转换器、电源管理、通信设备、汽车电子等领域，PJQ2566A展现出了其出色的控制能力和稳定性。
无论是高频率的开关操作，还是低噪声的电路设计，PJQ2566A都能提供可靠的解决方案。
特征优势
- 高性能：PJQ2566A具有极低的导通电阻（R_DS(on)），在V_GS=10V、I_D=10A条件下，典型值仅为11.2mΩ，大大降低了电路的功耗。
- 快速开关：该器件的开关速度快，具有较短的开关延迟时间和上升/下降时间，提高了电路的响应速度和效率。
- 高可靠性：强茂采用先进的生产工艺和材料，确保了PJQ2566A的长期稳定性和可靠性，满足各种复杂应用环境的需求。
- 环保设计：PJQ2566A符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，体现了强茂对环保的承诺。
主要参数
以下表格详细列出了PJQ2566A的主要电气参数：
| 参数符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V_DS | - | 60 | - | - | V |
| V_GS | ±20 | - | - | - | V |
| I_D | T_C=25°C | 20 | - | - | A |
| I_DM | T_C=25°C | 80 | - | - | A |
| P_D | T_C=25°C | 9.6 | - | - | W |
| R_DS(on) | V_GS=10V | - | 11.2 | 14 | mΩ |
| R_DS(on) | V_GS=4.5V | - | 16.3 | 21 | mΩ |
| V_GS(th) | V_DS=V_GS | 1 | 1.4 | 2.5 | V |
| I_DSS | V_DS=60V | - | - | 1 | μA |
| I_GSS | V_GS=±20V | - | - | ±100 | nA |
| Q_g | V_DS=30V | - | 16.7 | 22 | nC |
| C_iss | V_DS=30V | - | 834 | 1168 | pF |
| C_oss | - | - | 323 | 485 | pF |
| t_d(on) | V_DS=30V | - | 7 | - | ns |
| V_SD | I_S=10A | - | 0.85 | 1.3 | V |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
